Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

应用范围：用于常规质量控制、精密材料研发的单晶和多晶片及晶锭的寿命测量

 

 

根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。

晶圆切割，炉内监控，材料优化等。

日常寿命测量，质量控制和检验 

1. 产量：>240块/天或>720片/天
2. 测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟
3. 生产改善：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭
4. 质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅
5. 污染测定：起源于炉和设备的金属(Fe)
6. 可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高的可靠性和运行时间> 99%
7. 可重复性:> 99.5%
8. 电阻率：不需要经常校准

精密材料研发

1. 陷阱浓度测定
2. 硼氧测定
3. 依赖于注入的测量等
   
4. 铁浓度测定

特性

1. 无触点无破坏的半导体特性
2. 特殊的“表面之下”寿命测量技术
3. 不可见缺陷的 灵敏度的可视化
4. 自动切割标准定义
5. 空间分辨p/n电导型变换检测