Mono- and Multi-crystalline wafer lifetime measurement device

应用范围：用于精密材料研发的单晶和多晶片的寿命测量

特性

1. 灵敏度：外延片不可见的缺陷和检测的 灵敏度的可视化
2. 测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟
3. 使用寿命: 20纳秒到几毫秒
4. 污染测定：源自炉和设备的金属(Fe)污染
5. 测量能力：从初始切割的晶圆片到加工的样品
6. 灵活性：固定测量头允许外部激光与触发器耦合
7. 可靠性： 模块化和紧凑的台式仪器，更高的可靠性和正常运行时间> 99%
8. 重现性： > 99.5%
9. 电阻率：不需要频繁校准

用于研发或生产监控的灵活检测工具

1. MDPmap是一个紧凑的台式无触点电子特性的离线生产控制或研发的工具。可测量参数如载流子寿命、光电导性、电阻率、缺陷信息在稳态或注入范围宽短脉冲励磁(μ-PCD)。自动化的样品识别和参数设置可以方便地适应各种不同的样品，包括在不同的制备阶段，从生长的晶圆片到高达95%的金属化晶圆片的外延片和晶圆片。
2. MDPmap的主要优点是其高度的灵活性，它允许集成最多4个激光器，用于从超低注入到高注入的依赖于注入水平的寿命测量，或者使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以使用不同的图进行客户定义的计算，也可以导出原始数据进行进一步的评估。对于标准计量任务，可用一个预定义的标准，使常规测量只需按一个按钮。