多晶硅少子寿命测试仪
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| 一、多金硅少子寿命测试仪产品特点： | ||
| 1、可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。 2、可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。 3、液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形。 | ||
| 二、多金硅少子寿命测试仪技术参数： | ||
| 配置两种波长的红外光源 1、1.07μm波长红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。 2、0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。 三、多金硅少子寿命测试仪 测量范围： 1、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω·㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。 2、抛光面：电阻率在0.1～0.01Ω·㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。 四、多金硅少子寿命测试仪寿命可测范围： 1、分体式：2μS—10ms 2、一体式：0.5μS—20ms | ||
