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型号：OTF-1200X-III-HPCVD-SE
产品概述：OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD（物理/化学混合气相沉积）系统，带有的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中（可设定推入位置和推进速度），以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪，温度可达1350℃，也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验，特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏，用户可设置进料速度，进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
| 炉体结构 | 的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中（并可实时监测其温度），温度可控型原位蒸发枪，温度可达1350℃，适合用HPCVD法生长多层膜
·炉体为三温区开启式管式炉，由三个独立的温控系统控制每个温区，其控温精度可达±0.1℃
·双层壳体结构，并带有风冷系统
·采用氧化铝纤维作为炉膛材料，表面涂有高温氧化铝涂层，可提高加热效率，和延长使用寿命
·炉体开启式设计，便于跟换炉管，并且带有开启断电功能，保证操作安全 |
| 电源要求 | ·单相208~240VAC
·功率9KW（需60A的空气开关） |
| 加热区 | ·三个加热区，每个加热区长度：300mm
·总加热区长度：900mm |
| 恒温区 | 恒温区长度：625mm(±2℃） （三个温区设置同样的加热温度） |
| 工作温度 | ·工作温度：1200℃（<1hr）
·连续工作温度：100~1100℃ |
| 升温速率 | ≤ 10°C /min |
| 原料推进系统&蒸发枪 | 的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中（并可实时监测其温度），利用推送系统可将3个不同蒸发源同时/依次送入3个独立的小石英管中，精确地找到所需温度，保证实验精确性和重复性
·蒸发枪：采用钨线圈加热，氧化铝坩埚装料，其温度可达1350℃，控温精度±1℃ |
| 坩埚移动控制 | ·坩埚的移动速度和移动距离通过步进电机驱动，可设定控制
·移动距离: 530mm （精度1mm） |
| 沉积样品台 | ·特殊设计样品台，带有手动遮挡板，放置原料交替试导致所制备样品污染
·可手动调节样品台在炉管中的位置
·可选择水平样品台，或倾斜式样品台 |
| 温度控制系统 | ·三个温区由三个独立的温控系统控制，采用PID方式调节温度，可设置30段升降温程序
·欧陆仪表控制，控温精度可达±0.1℃
·带有超温和断偶报警
·三个K型热偶（每个温区1个） |
| 管式炉配置 | ·炉管，采用高纯石英管，尺寸为Φ130（外）mm×Φ122（内）mm×1200mm（长）
·配有2个氧化铝管堵，防止热辐射（加热前管堵必须放入到炉管内）
·可选购石英管堵，保证反应环境洁净 |
| 真空计 | ·防腐型复合真空计（皮拉尼和隔膜规）
·测量范围：3.8E-5 ~ 1125 torr |
| 真空泵&真空度 | ·真空度：10E-2 torr（采用机械泵），10-E5 torr(采用分子泵) 可在本公司选用各种真空泵 |
| 气体流量控制系统 | 配有4通道气体流量控制系统，采用触摸屏设定参数 |
| 循环水冷机 | 设备采用水冷不锈钢密封法兰，所以配有循环水冷机 |
| 设备尺寸 | 4000×600×1500m |
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| 质量认证 | ·CE认证
·所有电器元件（≧24V）都通过了UL/MET/CSA认证 |
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