产品简介
此款位移传感器为nm级别光学位移传感器，分辨率可达10nm，测量范围100um.不同于常用的电容式位移传感器，由于其采用光学设计，具有对电磁**，可用于复杂的强电磁环境中。由于采用多种技术，使其灵敏度达到干涉仪级别。
详细介绍
此款位移传感器为nm级别光学位移传感器，分辨率可达10nm，测量范围100um.不同于常用的电容式位移传感器，由于其采用光学设计，具有对电磁**，可用于复杂的强电磁环境中。由于采用多种技术，使其灵敏度达到干涉仪级别。
具有如下特色：
1.对温度变化不敏感。
2.对电场，磁场及电磁辐射**。
3.具有大的可测范围，对传感器定位精度要求不高。
4.具有高的测量带宽，适合于振动分析及高速测量。
5.具有小的测试区域。测试点大小可为30um~400um的测试光斑。
可应用于如下各场合：
1.定位控制。
2.振动测试。
3.离轴测量。
4.表面特性测试。
5.薄膜或涂层的厚度测量。
