TopGaN 正在制造发射光谱范围从 400nm 到 461nm 的激光二极管，精度为 +/-2nm。也可根据需要提供 +/-1nm 的精度。这些器件采用 5.6 mm (TO-56) 封装的可见光和紫外激光二极管，氮化蓝紫色激光二极管的工作电流密度相对较高，为 5-10 kA/cm²。这些二极管的衰减主要是通过其阈值电流的增加而发生的。

光学输出功率：50mW（Tcase= 20°C）

峰值波长：418 +/- 2 nm @RT

用于 Cw 和脉冲操作的辐射源

单横向模式半导体激光器

产地：波兰

允许反向电流：1 uA

PD 反向电压：5 V

存储温度：- 10 至 85 °C

工作外壳温度：0 至 60 °C

光输出功率：50 mW

峰值波长：418 +/-2 nm

阈值电流：30 至 60 mA

工作电流：90 至 130 mA

温度波长偏移：0.05 nm/deg

光束发散 - 快轴：32 °

光束发散 - 慢轴：7 °

量子技术和传感应用