SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘
SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘
SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘

120µm±30µmSIC涂层MOCVD外延片石墨托盘

参考价: 订货量:
10000 1

具体成交价以合同协议为准
2020-12-22 14:05:53
604
属性:
材质:石墨;截面形状:O型;使用温度:600℃;使用压力:0.4-0.8MPa;是否标准件:是;是否进口:是;适用范围:汽车,门窗,电器,轴承,泵,气缸,托辊,水管,化工管道,阀门;性质:耐高温,耐高压,耐腐蚀,耐磨损;作用:防尘密封;
>
产品属性
材质
石墨
截面形状
O型
使用温度
600℃
使用压力
0.4-0.8MPa
是否标准件
是否进口
适用范围
汽车,门窗,电器,轴承,泵,气缸,托辊,水管,化工管道,阀门
性质
耐高温,耐高压,耐腐蚀,耐磨损
作用
防尘密封
关闭
北京合能阳光新能源技术有限公司

北京合能阳光新能源技术有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

我公司拥有多名日本专家、博士工程师及*经营管理团队,拥有专业从事碳化硅涂层以及对石墨产品进行高温纯化除杂技术。公司产品及技术广泛应用于半导体行业,LED行业,航天行业,化工行业,光伏行业,包装行业,耐腐蚀行业、冶金行业等领域。

详细介绍

我公司拥有多名日本专家、博士工程师及*经营管理团队,拥有专业从事碳化硅涂层以及对石墨产品进行高温纯化除杂技术。公司产品及技术广泛应用于半导体行业,LED行业,航天行业,化工行业,光伏行业,包装行业,耐腐蚀行业、冶金行业等领域。

 

   公司通过引进国外的CVD法碳化硅涂层及高温纯化装置与技术,根据客户需要为不同形状,不同结构和大小的石墨件纯化除杂,纯化后的石墨杂质可降至小于5PPM,并采用高温化学气相沉积法沉积厚度的碳化硅涂层。

 

   相比以往的工艺,CVD法生产的碳化硅晶体结构致密,晶格排列整齐,与沉底材料结合更紧密等优势。具有耐高温,耐磨损,耐腐蚀,易导热的特点,凭借这些涂层,我们的产品被广泛应用于制作流化床和热氢化的反应器部件,CZ直拉单晶炉的导流筒部件,以及硅外延和GaN外延的托盘。

 

产品指标:

材料:进口等静压高纯石墨

纯度:小于5ppm

SIC涂层厚度:120µm±30µm(涂层厚度可根据客户要求定制)

涂层表面粗糙度:6-8µm

涂层后基座电阻率:0.0004-0.00045Microhm-m

高均匀度和优异的热传导性

耐电浆轰击

j佳均温性

高耐腐蚀性和稳定性

理想的电阻特性

使用寿命长

 

应用领域:

LED芯片产业MOCVD外延片承载石墨托盘

ICP蚀刻制程用之承载盘

硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体半导体材料外延托盘

 

合能阳光

提供各种规格碳化硅涂层石墨制品:承载盘,预热环,筛盘,顶针等相关制品

可接受根据图纸定制加工业务

质量稳定,交货期短

主要客户:

国内半导体芯片企业、LED光电企业等

上一篇:看完这些你就知道什么是石墨高强复合垫了 下一篇:金属缠绕垫泄露的本质是介质的流动
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话: