• 以脉冲电压励磁法为测量原理的非接触式电阻测量系统，可在不损坏样品的情况下进行测量。

• 节省空间的设计主体，便携式可拆卸舞台

• 通过PC（专用软件）轻松进行测量操作、数据存储和管理

• 可根据应用改变测量显示单位（薄层电阻、电导率、电导率）

  *本产品采用本公司与千叶大学共同开发的脉冲电压励磁方式

新材料/功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜（金属、ITO等）
化合物半导体（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）

~ A4 尺寸 (W300 x D210mm)

50μ 至 1mΩ/sq

便于携带和测量的便携式薄层电阻测量仪：DUORES

可根据测量对象更换两种类型的探头（非破坏型和接触型）。

• 款可与两种类型的探头（非破坏型和接触型）互换使用的便携式薄层电阻测量仪
• 只需放置/应用探头即可自动测量
• 电池连续工作时间：24 小时（*电池使用中）
显示数据数：最多 100（*从最近的数据显示）

• 保存数据数：最大50,000（*通过专用软件显示）
• 测量数据传输功能：USB-Mini
• 显示：3种显示单位（Ω/□、S/□、n/m [金属膜厚度换算） ]), 4 位浮点数 (0.000 到 9999)

* 我们也只出售主机 + 非破坏型探头，主机 + 接触式探头。

• 节省空间，使用个人电脑轻松操作和数据处理

• 非接触式涡流法可实现无损伤测量

• 探头可拆卸和更换，因此每个量程的探头都可以轻松更换。

• （*可选用于第二个和后续电阻探头）

• 1 中心点测量

• 厚度和温度修正功能（硅晶圆）

半导体/太阳能电池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜（金属、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半导体相关（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*请联系我们）

3 至 8 英寸，~156 x 156 毫米
（可选；2 英寸或 12 英寸，~210 x 210 毫米）

[电阻率] 1m 至 200 Ω・cm
（*所有探头类型的总范围/当厚度为 500um 时）
[薄层电阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探头类型的总范围）

• 只需触摸手持探头即可测量电阻

• 在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换

• 通过 JOG 拨盘轻松设置测量条件

• 可互换连接器连接的电阻测量探头支持各种电阻

• （电阻探头：最多可使用2+PN判断探头）

测量规格

测量对象

测量尺寸

测量范围