MOS管静态参数测试仪系统

陕西天士立科技有限公司/STD2000/MOS管静态参数测试仪系统

可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on)）以及IV特性曲线等

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%

陕西天士立科技有限公司

研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

一：规格&环境

1.1、产品信息

产品型号：STD2000

产品名称：MOS管静态参数测试仪

1.2、物理规格

主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

主机重量：＜35kg

1.3、电气环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过 4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

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第二部分：应用场景和产品特点

一、应用场景

1、测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）

2、失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）

3、选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）

4、来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）

5、量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）

6、替代进口（STD2000MOS管静态参数测试仪可替代同级别进口产品）

二、产品特点

1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；

3、驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~100mA；

5、16位ADC，1M/S采样速率；

6、自动识别器件极性 NPN/PNP

7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确

8、通过 RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、MOS管静态参数测试仪能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；

11、MOS管静态参数测试仪能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）

12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；

14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机效率1h/9000个；

15、MOS管静态参数测试仪在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；

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第三部分：产品介绍

3.1、产品介绍

STD2000MOS管静态参数测试仪是由我公司技术团队结合MOS管静态参数测试仪的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，自主开发设计的全新一代“MOS管静态参数测试仪”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

MOS管静态参数测试仪脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流100mA，分辨率至1uV / 1.5pA，精度可至0.1%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着扩展性。

产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

MOS管静态参数测试仪产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面（STD2000MOS管静态参数测试仪）

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第四部分：功能配置

4.1、配置选项

STD2000MOS管静态参数测试仪的功能配置如下

4.2、适配器选型

STD2000MOS管静态参数测试仪的适配器有如下

4.3、测试种类及参数

STD2000MOS管静态参数测试仪的测试种类和参数如下

(1)二极管类：二极管  Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；

(2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；

(5)二极管类：瞬态二极管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二极管类：整流桥堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二极管类：三相整流桥堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三极管类：三极管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；

(9) 三极管类：双向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三极管类：单向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三极管类：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三极管类：双MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三极管类：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三极管类：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三极管类：三端开关功率驱动器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三极管类：七端半桥驱动器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三极管类：高边功率开关

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保护类：压敏电阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

(19)保护类：单组电压保护器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保护类：双组电压保护器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)稳压集成类：三端稳压器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)稳压集成类：基准IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)稳压集成类：四端稳压

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)稳压集成类：开关稳压集成器

选配；

(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；

(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)传感监测类：

电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；

霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；

电压监控器（选配）；

电压复位IC（选配）；

曲线追踪仪

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第五部分：性能指标

STD2000MOS管静态参数测试仪的性能指标如下

5.1、电流/电压源（VIS）自带VI测量单元

（1）加压(FV)

量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 设定值±3mV

量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 设定值±3mV

量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 设定值±3mV

量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 设定值±2mV

量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 设定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 设定值±30mA

量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 设定值±2mA

量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 设定值±500uA

量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 设定值±50uA

量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 设定值±5uA

量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 设定值±500nA

量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 设定值±50nA

量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 设定值±5nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

（3）电流测量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

（4）电压测量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

5.2、数据采集部分（VM）

16位ADC，1M/S采样速率

（1）电压测量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV

（2）漏电流测量(MI)

量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%读数值±100uA

量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%读数值±3uA

量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%读数值±300nA

量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%读数值±100nA

量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%读数值±20nA

量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%读数值±5nA

量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%读数值±0.5nA

（3）电容容量测量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

5.3、高压源（HVS）(基本)12位DAC

（1）加压(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA

STD2000MOS管静态参数测试仪能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....