OPTM 系列-显微分光膜厚仪-北京卓立汉光仪器有限公司手机版

产品简介

OPTM 系列显微分光膜厚仪使用显微光谱法在微小区域内通过反射率进行测量，可进行高精度膜厚度/光学常数分析。可通过非破坏性和非接触方式测量涂膜的厚度，例如各种膜、晶片、光学材料和多层膜。测量时间上，能达到1秒/点的高速测量，并且搭载了即使是初次使用的用户，也可容易出分析光学常数的软件。

详细介绍

产品概述

OPTM 系列显微分光膜厚仪
头部集成了薄膜厚度测量所需功能

通过显微光谱法测量高精度反射率（多层膜厚度，光学常数）

1点1秒高速测量

显微分光下广范围的光学系统（紫外至近红外）

区域传感器的安全机制

易于分析向导，初学者也能够进行光学常数分析

独立测量头对应各种inline客制化需求

支持各种自定义

OPTM 系列显微分光膜厚仪选型表

OPTM-A1	OPTM-A2	OPTM-A3
波長范围	230 ~ 800 nm	360 ~ 1100 nm	900 ~ 1600 nm
膜厚范围	1nm ~ 35μm	7nm ~ 49μm	16nm ~ 92μm
测定时间	1秒 / 1点
光斑大小	10μm (*小约5μm)
感光元件	CCD		InGaAs
光源規格	氘灯+卤素灯		卤素灯
电源規格	AC100V±10V 750VA（自动样品台规格）
尺寸	555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自动样品台规格之主体部分)
重量	约 55kg（自动样品台规格之主体部分）

测量项目：

反射率测量

多层膜解析

光学常数分析（n：折射率，k：消光系数）

测量示例：SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚测量

半导体晶体管通过控制电流的导通状态来发送信号，但是为了防止电流泄漏和另一个晶体管的电流流过任意路径，有必要隔离晶体管，埋入绝缘膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于绝缘膜。 SiO 2用作绝缘膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介电常数的绝缘膜，或是作为通过CMP去除SiO 2的不必要的阻挡层。之后SiN也被去除。为了绝缘膜的性能和精确的工艺控制，有必要测量这些膜厚度。