半导体封装工艺中会用到引线框架，引线框架作为半导体芯片载体，其材料中主要是铜等易氧化的元素，铜在高温的环境中极易生成CuO.在后道的回流焊中会发生断层，断裂的现象。

所以引线框架封装需要在厌氧的环境中烘烤，固化。

由于一些特殊的场合，需要真空环境，所以，本公司推出真空环境下的真空无氧烘箱。

厌氧烘箱需要在充氮环境里进行加热加温，所以，又称为：厌氧充氮烘箱

半导体封装工艺中会用到引线框架，引线框架作为半导体芯片载体，其材料中主要是铜等易氧化的元素，铜在高温的环境中极易生成CuO.在后道的回流焊中会发生断层，断裂的现象。

所以引线框架封装需要在厌氧的环境中烘烤，固化。

由于一些特殊的场合，需要真空环境，所以，本公司推出真空环境下的厌氧烘箱。

厌氧烘箱需要在充氮环境里进行加热加温，所以，又称为：厌氧充氮烘箱

一、真空厌氧烘箱基本功能

上料→抽真空→常温升温→达到设定温度（超温会报警）→保持恒温并开始计时→时间到后停止加热并报警→自动降温→下料。

二、真空无氧烘箱主要技术参数

三、半导体烘箱基本要求

1、电源：380V/220V，50Hz~60Hz，配有相序保护器，结构件接地保护。

2、氮气要求：0.4-0.6MPa，自带分级过滤器。

四、设备控制系统

1、采用 PID 自动计算输出功率的大小；越接近温度设定值时，输出功率越小，以达到恒温控制的目的，并可节能省电。

2、当实际检测温度超过超温保护温控器设定值时，自动切断加热电源，起到双重保护功能。

3、定时分为 2 档（手动/自动）：选择手动时为立即开始计时；选择自动时为温度必须达。到设定温度值时才开始计时，时间到达到后有声光报警并自动停机。

4、升温降温：仪表程式编辑控制，温度范围可设置，降温、升温、恒定、时间。

5、内烘箱：表面平整，不可有漏气现象。

6、外壳温度：室温150℃以内，外壳温度不高于室温+20℃，接缝处除外。

7、外部材料：采用冷轧钢板表面静电喷塑处理、板材厚度为1.2mm;

8、保温材料:具有不可燃烧，隔热性强，采用玻璃纤维保温棉、 六面保温。

9、密封条采用硅胶胶条制作，可耐温不变形。

10、内胆材料：304不锈钢板、厚度为5mm、胆内清洁、防生锈、耐腐蚀。

11、每个箱体配有3个栅栏式层架。

12、门与内胆采用双层密封形式，加强密封效果。

13、温控器采用PV和SV显示功能，自带 PID 自动整定演算输出，控制精准。

14、时间控制采用 LED 数显时控器，可设置时间为 99 小，单位可以任意切换为小时、分钟、秒。

15、超温保护温控器采用宇电能型温控器，PV 与 SV 双 LED 显示功能，当温度超过超温保护温控器设定值时，自动切断加热电源。

16、箱体侧面设有排气。

17、结构件安全接地保护。

18、配带蜂鸣器的报警灯。

19、加热管控制采用阳明 SSR 固态继电器控制每组发热管。

20、可调节气体流量，使炉内温度更加均匀。

21、控制程序制作简单。

22、设有进氮气口，配电磁阀控制，每组流量计可手动调整充气流量、并可自动控制流量计开启数量。

23、打开电源开关后，机器自检，正常时指示灯塔显示绿灯，如果出现异常，指示灯塔显示红灯。

24、配有 USB 接口，带有数据导出功能、温控曲线监测。

25、故障诊断简单。

五、设备工作环境

1、环境温度：10~40℃；

2、环境湿度：10%~85%RH。

六、无氧烘箱装配要求

1、走线整齐、方便、美观、与设备连线越短越好、中间接头连接牢固、且不妨碍今后维工作。

2、所有设备预留设备接地位置。

由于真空厌氧烘箱制作工艺复杂，本网站所发布资料仅供参考，具体技术要求请来电来函我司详谈。