产品介绍

 平面研磨法是将氩离子束倾斜照射到样品表面，并将氩离子束中心和样品旋转中心进行偏心调整，实现广域加工的方法。氩离子束的照射角度(θ)可设置为0°～90°4) 。当照射角度≥80°时，离子束照射角度与样品加工面近乎平行，因此，可以减少由于晶体取向和成分蚀刻速率差造成的凹凸不平，形成相对平滑的加工面。这种方法常用于去除机械研磨加工对树脂包埋样品造成的研磨痕迹，实现样品的精加工。照射角度较小时，可以利用蚀刻速率差，凸显样品的凹凸特性。通过样品表面的凹凸形貌，判断多层膜的层结构等。

产品特性：

1、截面研磨法
截面研磨法是在样品和离子枪之间安装一个遮挡板，使样品局部突出遮挡板边缘，然后用离子束照射样品。沿遮挡板边缘溅射突出边缘的部分，由此可获得切割均匀的截面。使样品突出遮挡板数十微米至100微米，并以±15～40°旋转样品杆，以防产生离子研磨痕迹（细条纹）。截面研磨普遍适用于块状样品和多层结构等机械研磨难以精加工处理的样品。

2、平面研磨法
平面研磨法是将氩离子束倾斜照射到样品表面，并将氩离子束中心和样品旋转中心进行偏心调整，实现广域加工的方法3) 。氩离子束的照射角度(θ)可设置为0°～90°4) 。当照射角度≥80°时，离子束照射角度与样品加工面近乎平行，因此，可以减少由于晶体取向和成分蚀刻速率差造成的凹凸不平，形成相对平滑的加工面。这种方法常用于去除机械研磨加工对树脂包埋样品造成的研磨痕迹，实现样品的精加工。照射角度较小时，可以利用蚀刻速率差，凸显样品的凹凸特性。通过样品表面的凹凸形貌，判断多层膜的层结构等。

工作原理：

IM4000PLUS
IM4000PLUS是一款搭载截面研磨和平面研磨两种功能的复合型离子研磨仪。它的功能强大，用途广泛，用户可选配用于锂离子电池分析的真空转移盒，以及在离子照射树脂、高分子材料时，可降低热损伤的样品冷却功能，因此受到了市场的广泛欢迎。而且，IM4000PLUS搭载了高速离子枪，可缩短研磨时间，截面研磨速率高达500 μm/h以上(*)。

IM4000PLUS采用间接方式冷却样品，首先在杜瓦瓶内装满液氮，以此作为冷却源，再通过铜线对样品加工区域进行冷却。对于树脂和橡胶材质的样品，即使是采用间接冷却的方式其温度仍低于玻璃化转变温度，为防止样品温度过低，用户可同时使用加热器，将样品温度调节在0℃到-100℃范围内。图6所示为分别对硅胶进行常温截面研磨(a)和冷却截面研磨(b)加工后获得的SEM图像。常温下对硅胶进行截面研磨时，氩离子照射会使样品温度升高，造成基体橡胶内随处都是褶皱。而采用冷却研磨可大幅减少褶皱，抑制样品温度升高。

操作步骤：

① 在控制氧气浓度和温度的手套箱内，将样品置于真空转移盒内，并旋紧密封盖。
② 取出真空转移盒，安装到离子研磨仪上。
③ 在真空样品仓内取下密封盖。
④ 离子研磨加工
⑤ 真空环境下盖紧密封盖
⑥ 打开密封盖，拉出样品杆。
⑦ 选择支持真空转移样品的SEM进行样品观察。

详情请访问 上海杰星金相（金相磨抛机）