SRS-500型磁控溅射PVD系统，最多可配备五个独立溅射靶位，采用涡轮分子泵组和自动压控系统等配置，适用于沉积各种金属和反应膜层。可实现单靶直溅和多靶共溅功能。适合快速制备多层金属、反应化合膜、半导体介质复合膜等，配备精密沉积速率控制系统，非常适合新材料研发和小批量生产使用。

主要特点：

• 大抽速真空系统，即插即用快捷方便；
• 最多五个独立磁控靶位可轻松切换功能，快速制作多种金属和反应介质膜；
• 预设参数全自动沉积无需人为干预；
• 材料和基板安装方便实用，单片公转可沉积φ280的膜片，可实现公自转载具切换功能。
• 配备射频源，可实现多种膜层工艺要求。

应用领域：

• 金属和介电膜
• 薄膜传感器的制造
• 光学元件
• 纳米与微电子
• 太阳能电池

主要功能配置说明：

• Φ500mm*420mm(h)圆形不锈钢腔室（可选玻璃腔室）
• 700L/s涡轮分子泵+双级旋片泵真空泵组。
• 全量程复合真空计，自动控制不同工艺压力。
• 电动压控插板阀全程压力自动控制。
• 四个独立2英寸溅射靶+2个热蒸发源，或5个独立溅射靶位，可同时溅射多种靶材。
• 配准备DC电源和RF电源更利于溅射多种金属和介质膜层。
• MFC精密气体控制系统。
• 石英晶体监测系统用于实时厚度测量。
• 斜拉伸缩式触控屏可预设控制沉积过程和快速数据输入。
• 用户友好软件系统，可以通过网络更新。
• 一键式全自动升降系统，便于操作。
• 精密温控系统和基片前后加热装置可精确控制控基片＞800°C。
• 伸缩式基片挂架，可轻松调节溅射距离和切换公自转模式。
• 自动腔体外包围环绕冷却系统，避免高温镀膜时腔室壁温度过高。

系统外观图如下：

腔室结构图如下：

四靶位溅射+2个独立热蒸发单元

五个独立溅射靶位腔室结构图

转架结构图：

外形尺寸图：

• 技术指标
• 系统真空度：≤6 x10^-5 Pa (经烘烤除气后)；
• 系统检漏漏率：≤5.0x10^-7 Pa.l/S，停泵关机12小时后保压≤5 Pa；
• 溅射成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min；
• 膜厚均匀性：公自转综合均匀度≤5%。
• 主要功能单元配置
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• 更多PVD系统工艺说明可查阅本站点解决方案目录：/jjfa

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