仪器简介：

中国台湾智果公司VDP6800霍尔效应测试仪为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和度。

霍尔效应测试仪轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 

除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。

共有三种配置： 常温；常温+低温；常温+低温+四点探针系统。

目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。

 技术参数：

磁场强度：0.65T; 

常温和液氮温度(77K)下测量; 

输出电流：2nA-100mA; 

迁移率(cm2/Volt-sec): 1~10⁷

电阻率(Ohms.cm):  10^-5 to 10⁷ 

载流子浓度(cm-3):  10⁷~10²¹ (cm^-3)

样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；

测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 

 主要特点：

1、高精密度电流源 

输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 

2、高精密度电表 

使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 

3、外型精简、操作简单 

外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性。 

4、I-V曲线 

采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 

5、单纯好用之操作画面 

使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 

6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。

7、可集成四点探针

 应用领域： 

所有半导体材料，包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 

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