半导体特性曲线图示仪系统
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STD2000 半导体特性曲线图示仪系统

型号
STD2000
参数
测量范围:0~2000V,0~200Amm 规格:30KG 精度:1nA,1mV 适用范围:Diode,BJT,MOSFET,IGBT,SCR
陕西天士立科技有限公司

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半导体分立器件静态动态参数测试系统,IGBT静态动态参数特性测试设备

陕西天士立科技有限公司,主要从事半导体检测设备的开发、制造、销售。致力于满足半导体领域从材料(硅Si碳化硅SiC氮化镓GaN)、晶圆、器件、部件、整机的电学特性测试、可靠性测试、老化试验、环境试验、力学试验、参数化脉冲ns/ps电源、半导体EDA仿真软件、智慧工厂、碳化硅陶瓷材料、第三方检测实验室的全产业链服务和国产化替代。

光耦测试仪、IGBT参数测试仪、IGBT模块静态动态测试仪设备、MOSMOS-FET参数测试仪、二三极管参数测试仪、可控硅晶闸管测试仪、半导体分立器件静态直流参数测试仪系统、半导体分立器件动态参数特性测试仪系统、功率器件参数测试、晶体管特性图示仪测试仪、半导体参数分析仪、硅Si碳化硅SiC氮化镓GaN器件静态动态参数测试仪系统、二极管正向浪涌电流测试设备、雪崩耐量测试仪、PN结电容测试仪、IGBT短路测试仪、半导体热阻测试仪、半导体功率循环试验系统、高温反偏HTRB试验系统、高温栅偏HTGB试验系统、SCSOA短路安全工作区测试仪系统、FBSOA正向偏置安全工作区测试仪系统、RBSOA反向偏置安全工作区测试仪系统、环境试验箱、可程式恒温恒湿试验箱、快速温度变化试验箱、温度/湿度/振动三综合环境试验箱、整车高低温湿热综合环境舱、整车综合性能试验舱、力学振动试验台、热流仪、高低温气流仪、精密电子部件、SoC/ASIC仿真验证。“FPGA 原型验证矩阵”、“企业级硬件仿真加速器”、“ESL高阶设计语言编译和仿真工具”、“逻辑综合器”致力“XJ数字前端 EDA 工具供应等。

半导体检测系列产品覆盖半导体功率器件的初始研发到规模量产再到应用端的全产业链。服务领域包括半导体器件及IC上游产业(设计、制造、封装、IDM厂商、晶圆、DBC衬板)和应用端产业(院所高校、电子厂、轨道机车、新能源汽车、白色家电等......)应用场景主要有器件及IC研发期预演测试、晶圆厂自动化芯片测试、器件及IC后道封装测试。应用端的来料检验、失效分析、器件选型、参数配对、寿命预估等。

电气工程产品系列及服务包括电力半导体器件、模块、组件的研制及综合检测设备;电气自动化设备,电冶、电化学整流装置;电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源,感应加热炉,变压器、整流器、电感器、电容器、互感器、传感器及其配套设备;晶闸管光控高压阀组、GTOIGBTIGCTMOSFET驱动器;远距离光电传感转换软件控制系统;光电脉冲触发板、IGBT智能高压驱动机车调速汇报板;SVC无功静补装置等。

核心团队汇集了来自院所高校和ZM企业的从事电力电子、芯片开发、电源、软件等领域人士。拥有众多行业LX的创新技术。产品成熟可靠,久经市场考验,在替代同类进口产品方面有着突出的优势。微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了ps级脉冲源、高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。



详细信息

半导体特性曲线图示仪系统


陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体特性曲线图示仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBTMosfetDiodeBJTSCR电子元器件的静态直流参数IV曲线

(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJTMOSFETIGBT)”

“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”

等品类的繁多的电子元器件

高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A

控制极/栅极电压40V,栅极电流100mA

分辨率至1.5uV / 1.5pA,精度可至0.1%


陕西天士立科技有限公司

研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

一:规格&环境

1.1产品信息

产品型号:STD2000

产品名称:半导体特性曲线图示仪

1.2物理规格

主机尺寸:深660*430*210(mm)

主机重量:<35kg

1.3电气环境

主机功耗:<300W

海拔高度:海拔不超过 4000m

环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

相对湿度: 20%RH75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下)

大气压力:86Kpa106Kpa

防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

电网要求:AC220V、±10%50Hz±1Hz

工作时间:连续;

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研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

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第二部分:应用场景和产品特点

一、应用场景

1测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为曲线追踪仪

2失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

3选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

4来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

5量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

6替代进口STD2000半导体特性曲线图示仪系统可替代同级别进口产品)

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二、产品特点

1程控高压源10~1400V,提供2000V选配;

2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A,500A选配;

3驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~100mA

516ADC1M/S采样速率;

6自动识别器件极性 NPN/PNP

7、曲线追踪仪,四线开尔文连接保证加载测量的准确

8通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220SOP-8DIPSOT-23等等)

10半导体特性曲线图示仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFETIGBT、可控硅、光耦、继电器等等);

11半导体特性曲线图示仪系统能实现曲线追踪仪(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)

12结电容参数也可以测试,诸如CkaCissCrssCoss

13脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;

14Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin,连接分选机效率1h/9000个;

15半导体特性曲线图示仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;

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研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

第三部分:产品介绍

3.1、产品介绍

STD2000半导体特性曲线图示仪系统是由我公司技术团队结合半导体特性曲线图示仪系统的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,自主开发设计的全新一代半导体特性曲线图示仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

半导体特性曲线图示仪系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)栅极电压40V,栅极电流100mA,分辨率至1uV / 1.5pA,精度可至0.1%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着扩展性。

产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

半导体特性曲线图示仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面(STD2000半导体特性曲线图示仪系统

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第四部分:功能配置

4.1配置选项

STD2000半导体特性曲线图示仪系统的功能配置如下

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4.2适配器选型

STD2000半导体特性曲线图示仪系统的适配器有如下

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4.3测试种类及参数

STD2000半导体特性曲线图示仪系统的测试种类和参数如下

(1)二极管类:二极管  Diode

KelvinVrrmIrrmVf,△Vf,△VrrmCkaTr(选配);

(2)二极管类:稳压二极管  ZDZener Diode

KelvinVzlrVf,△Vf,△VzRozlzmCka

(3)二极管类:稳压二极管  ZDZener Diode

KelvinVzlrVf、△Vf、△VzRozlzmCka

(4)二极管类:三端肖特基二极管SBDSchottkyBarrierDiode

Kelvin Type_ident Pin_test VrrmIrrmVf、△VfV_VrrmI_Irrm、△VrrmCkaTr(选配);

(5)二极管类:瞬态二极管  TVS

Kelvin Vrrm IrrmVf、△Vf、△Vrrm Cka

(6)二极管类:整流桥堆

Kelvin VrrmIrrmIr_acVf、△Vf、△Vrrm Cka

(7)二极管类:三相整流桥堆

Kelvin Vrrm IrrmIr_acVf、△Vf、△VrrmCka

(8)三极管类:三极管

Kelvin Type_identPin_chk V(br)cbo V(br)ceo V(br)ebo IcbolceoIeboHfeVce(sat)Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo VbelcmVsd Ccbo CcesHeaterTr (选配)、Ts(选配)、Value_process

(9) 三极管类:双向可控硅

KelvinType_identQs_chkPin_testIgtVgtVtmVdrmVrrmVdrm rrmIrrmIdrmIrrm_drmIhILC_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm

(10)三极管类:单向可控硅

KelvinType_identQs_chkPin testlgtVgtVtmVdrm VrrmIHIL、△VdrmVrrmVtm

(11)三极管类:MOSFET

Kelvin Type_identPin_testVGS(th) V(BR)Dss Rds(on) Bvds_rz、△BvdsGfsIgssldss Idss zero Vds(on)VsdCissCossCrssBvgs ld_lim HeaterValue_proces、△Rds(on)

(12)三极管类:双MOSFET

KelvinPin_chkIc_fx_chkType_identVgs1(th)VGs2(th)VBR)Dss1VBR)Dss2Rds1(on)Rds2(on)Bvds1 rzBvds2_rzGfs1Gfs2lgss1lgss2Idss1Idss2Vsd1Vsd2CissCossCrss

(13)三极管类:JFET

KelvinVGS(off )V(BR)DssRds(on)Bvds_rzGfslgssIdss(off)Idss(on)vds(on)VsdCissCrssCoss

(14)三极管类:IGBT

KelvinVGE(th)V(BR)CESVce(on)GfelgeslcesVfCissCossCrss

(15)三极管类:三端开关功率驱动器

KelvinVbb(AZ)Von(CL)RsonIbb(off)Il(lim)CossFun_pin_volt

(16)三极管类:七端半桥驱动器

Kelvinlvs(off)lvs(on)Rson_hRson_llinIinhls_VoltSr_volt

(17)三极管类:高边功率开关

KelvinVbb(AZ)Von(CL)RsonIbb(off)ll(Iim)CossFun_pin_volt

(18)保护类:压敏电阻

KelvinVrrmVdrmIrrmIdrmCka、 △Vr ;

(19)保护类:单组电压保护器

Kelvin VrrmVdrmIrrmIdrmCka、△Vr

(20)保护类:双组电压保护器

KelvinVrrmVdrmIrrmIdrmCka、△Vr

(21)稳压集成类:三端稳压器

Kelvin Type_ident Treg_ix_chk Vout Reg_LineReg_LoadIBIB_IRoz、△IBVDISCMax_loRoExt _SwIc_fx_chk

(22)稳压集成类:基准ICTL431

KelvinVref、△VreflrefIminloffZkaVka

(23)稳压集成类:四端稳压

KelvinType_identTreg_ix_chkVoutReg_LineReg_LoadIBIB_IRoz、△lBVDIscMax_loRoExt_SwIc_fx_chk

(24)稳压集成类:开关稳压集成器

选配;

(25)继电器类:4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

KelvinPin_chkDip6_type_identVfIrVlIlIftRonTon(选配)、Toff(选配);

(26)光耦类:4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

KelvinPin_chkVfIrBvceoBvecoIceoCtrVce(sat)TrTf

(27)传感监测类:

电流传感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(选配);

霍尔器件(MT44XX系列、A12XX系列)(选配);

电压监控器(选配);

电压复位IC(选配);

曲线追踪仪

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第五部分:性能指标

STD2000半导体特性曲线图示仪系统的性能指标如下

5.1电流/电压源VIS自带VI测量单元

1加压(FV)

量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 设定值±3mV

量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 设定值±3mV

量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 设定值±3mV

量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 设定值±2mV

量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 设定值±2mV

2加流(FI)

量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 设定值±30mA

量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 设定值±2mA

量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 设定值±500uA

量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 设定值±50uA

量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 设定值±5uA

量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 设定值±500nA

量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 设定值±50nA

量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 设定值±5nA

说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调

3电流测量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

4电压测量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

5.2数据采集部分VM

16ADC1M/S采样速率

1电压测量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV

2漏电流测量(MI)

量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%读数值±100uA

量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%读数值±3uA

量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%读数值±300nA

量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%读数值±100nA

量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%读数值±20nA

量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%读数值±5nA

量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%读数值±0.5nA

3电容容量测量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

5.3高压源HVS(基本)12DAC

1加压(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV

2加流(FI)

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA

STD2000半导体特性曲线图示仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFETIGBT、可控硅、光耦、继电器等等产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....




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产品参数

测量范围 0~2000V,0~200Amm
规格 30KG
精度 1nA,1mV
适用范围 Diode,BJT,MOSFET,IGBT,SCR
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