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IRF820PBF-IR

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2016-07-14 14:26:30
225
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产品简介

IRF820PBF-IR
HEXFET㈢功率MOSFET
HEXFET㈢ Power MOSFET

详细介绍

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PIC:    Ms.Huang

:        

:        2469718855

:  HW@wyvery.com.cn

 

序号图片型号品牌封装描述RoHS
1

IRF820PBF

Vishay / SiliconixTubeMOSFET N-Chan 500V 2.5 AmpROHS 含铅
 
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:500 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:2.5 A
导通电阻:3 Ohms
配置:Single
zui大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
封装:Tube
商标:Vishay / Siliconix
下降时间:16 ns
zui小工作温度:- 55 C
功率耗散:50 W
上升时间:8.6 ns
系列:IRF/SIHF820
工厂包装数量:50
典型关闭延迟时间:33 ns
  

 

IRF640NPBF

IRLML2502TRPBF
IRF840PBF
IRF7309TRPBF
IRF820PBF
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IRF540NSTRPBF
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IRF9Z34NPBF
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