产品简介
IRLR3103TR-IR
带卷 （TR）MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细介绍
ShenZhen Very Technology Co.Ltd.
深圳市韦仪科技有限公司
PIC: Ms.Huang
:
: 2469718855
: HW@wyvery.com.cn
| 序号 | 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | RoHS |
| 1 |  | IRLR3103TR | International Rectifier | 带卷 (TR) | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |  含铅 |
| | | 设计资源： | IRLR3103 Saber ModelIRLR3103 Spice Model | | 标准包装： | 2,000 | | 类别： | 分立式导体产品 | | 家庭： | FET - 单 | | 系列： | HEXFET® | | 包装： | 带卷 (TR) | | FET 类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 | | FET 功能： | 逻辑电平门 | | 漏源极电压 (Vdss)： | 30V | | 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： | 55A （Tc） | | 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（zui大值）： | 19 毫欧 @ 33A，10V | | 不同 Id 时的 Vgs(th)（zui大值）： | 1V @ 250µA | | 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 50nC @ 4.5V | | 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 1600pF @ 25V | | 功率 - zui大值： | 107W | | 安装类型： | 表面贴装 | | 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | | 供应商器件封装： | D-Pak |
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