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技术特点:
| ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF |
特 点 | 高温型 | 高电阻型 zui大电阻:10MΩ | 低中温型 | 薄膜型 可测在基板上形成的热电薄膜 |
温度范围 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
样品尺寸 | 直径或正方形:2 to 4 mm2 ; 长度3 ~ 15mm | 成膜基板:宽2-4mm,厚0.4-12mm,长20mm 薄膜厚度:≥nm量级 薄膜样品与基板要求绝缘 | ||
控温精度 | ±0.5K | |||
测量精度 | 塞贝克系数:<±7%; 电阻系数:<±7% | |||
测量原理 | 塞贝克系数:静态直流电; 电阻系数:四端法 | |||
测量范围 | 塞贝克系数:0.5μV/K_25V/K; 电阻系数:0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞贝克系数:10nV/K; 电阻系数:10nOhm | |||
气 氛 | 减压He |