产品详情

功能及主要参数：

　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

　　主要技术参数：

　　IGBT开关特性测试

　　开关时间测试条件

　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V

　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可调(可选择4档及外接)

　　负　　载：感性负载阻性负载可切换

　　电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH

　　电阻范围：0.5R、1R、2R、4R

　　IGBT开关特性测试参数

　　开通延迟td(on): 20nS -10uS     

　　上升时间tr:    20nS -10uS

　　开通能量Eon：  0.1-1000mJ                

　　关断延迟时间td(off)：20 nS -10uS  

　　下降时间 tf： 20nS -10uS                   

　　关断能量Eoff：0.1-1000mJ

　　二极管反向恢复特性测试

　　FRD测试条件：正向电流IF：50A～1000A；反向电压 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；负载：感性负载可选

　　电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH

　　FRD测试参数

　　反向恢复时间trr：20nS -2uS

　　反向恢复电荷Qc：10nC~10uC；

　　反向恢复电流Irm：50A~1000A

　　反向恢复损耗Erec：0.1mJ～1000mJ

产品优势

　　国内少有能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。