GDAS51-专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关-安徽古大仪表有限公司手机版

产品简介

专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关。
古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性，由此构成一个电桥电路，振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时，电桥处于平衡状态，没有输出信号，而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时，由于被测介质的电特性与空气不同，会引起电桥电路的不平衡，从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。

详细介绍

专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关

GDAS51射频导纳物位开关

一、产品原理及应用

古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性，由此构成一个电桥电路，振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时，电桥处于平衡状态，没有输出信号，而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时，由于被测介质的电特性与空气不同，会引起电桥电路的不平衡，从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。

二、产品参数

探测组件材料： PPS/不锈钢 316L 过程温度： -50～150°C

过程压力： -1.0～64bar

信号输出：一个单刀双掷继电器，

接点容量 250V/5A

过程连接： G¾A

长度： 0.4～3m; 0.3～10m供电方式： 24V DC±10% 220V DC±10%

三、 GDAS51系列射频导纳物位开关选型表

GDAS51	选型代码	说明
仪表种类	A	高精度、高稳定性
	B	高稳定性
	C	中等普通工业用
	D	一般工业用
供电电压	A	24V
供电电压	B	220V
电缆进线	M	M20×1.5
	N	½NPT
	T1	特殊要求
现场显示	A	带
	X	不带
	T2	特殊要求
带散热片/过程温度	A	带/-40 C....+150 °C
	X	不带/-40 C....+80 °C
	T3	特殊要求
长度（mm）	A	四位数字
长度（mm）	T4	特殊要求