SnO2地膜是一种利用宽泛的宽禁带半超导体资料。近多少年来,随着对SnO的光电性质及其在光电器件上面利用的开发钻研,SnO2地膜变成钻研热点之一。制备掺杂的p型SnO2是构成同质p-n结以及兑现其理论利用的不足道路径。近年来,海内外在p型SnO2地膜钻研上面获得了较大的停顿。眼前简报的p型SnO2地膜的zui高电导率为5.952Ω-1cm-1。况且失去了存在较好非线性伏安特点的铟锡氧化物的通明p-n结。白文就其停顿继续了综述。

　　宽禁带半超导体资料是眼前半超导体资料钻研畛域的热点之一。SnO2是一种对可见光通明宽带隙氧化物半超导体,禁带幅度Eg=3.6-4.0eV。SnO2地膜因为存在可见光透光性好、紫外吸引系数大、电阻率低、化学性能稳固以及室温下抗酸碱威力强等长处,已被宽泛地利用在月亮能电池组、电热资料、通明电极资料以及气敏资料等上面。另外,与GaN和ZnO比拟,SnO2存在更大的激子禁锢能（SnO2:130meV,ZnO:60meV,GaN:21meV）。因而,作为室温下发亮资料,SnO2存在更大的后劲。

　　迄今为止,投入理论利用的通明导热膜SnO2都是n型半超导体地膜。在微电子和光电子器件以及通路的利用中,它只能作为无源器件,因此制约了通明导热膜的利用。那末能制备出p型的通明导热膜,则能够拓宽它的利用畛域。它将从无源器件,拓展到有源器件。比如能够制作通明p-n结有源器件,乃至可使整个通路兑现通明化。

　　然而,因为存在诸多的本征檀越缺点如空位氧和间隙锡,对受主产生高低自弥补作用,SnO2为本征n型半超导体,难以兑现p型转变。地膜p型掺杂的兑现是SnO2基光电器件的要害技能,也始终是钻研中的重要课题,眼前已获得重大停顿,白文联合海内外的钻研成绩,探讨p型SnO2地膜的制备和掺杂耍能的钻研停顿及其存在的要害问题。1、P型SnO2地膜的制备步骤

　　SnO2地膜的制备步骤很多,如溶胶-凝胶法（Sol-gel）、脉冲激光沉积（PLD）、化学气相沉积（MOCVD）、磁控溅射法（MS）、喷雾热合成（SprayPyrolysis）之类。但能无效继续p型SnO2掺杂的技能并不多,眼前也仅有溶胶-凝胶法,磁控溅射法,喷雾热解法等。1.1、喷雾热合成法

　　喷雾热合成法就是经过将非金属盐溶液雾化后喷入低温区,使非金属盐在低温下合成构成地膜。图1为喷雾热合成法示用意。在制备SnO2地膜时,原料药正常是溶化在醇类中的氯化锡。本法无比易于兑现掺杂,经过在氯盐中掺杂Al、Li、In等,能够失掉电学性质优异的地膜,还能够制备出存在纳米构造、性能优异的地膜。喷雾热合成法因为在常压下继续,能够缩小真空条件下成长的SnO2地膜中的氧空位,从而弱化檀越弥补作用,无利于p型掺杂。固然本法的设施与工艺容易,但也能够成长出与其余步骤可比较的的SnO2地膜,且易于兑现掺杂,是一种无比经济的地膜制备步骤,无望兑现轻工业化生产。

图1　喷雾热合成法示用意

　　2004年,Mehdi等采纳喷雾热合成步骤顺利地在玻璃基片上沉积掺杂Li的二氧化锡p型通明导热地膜。Li掺杂二氧化锡地膜的空穴载流子深浅高达1.10×1018cm-3。2006年,浙江大学季振国等采纳喷雾热合成合议制备p型掺杂In的SnO2地膜。试验后果:地膜的导热类型在于于热解决的热度和In/Sn对比。在In/Sn比为0.1和0.2,以及热解决热度T≥600℃时,地膜为p型;而T<600℃时,地膜为n型。在同一热度（T=700℃）地膜,在In/Sn>0.2时,地膜是n型;在In/Sn<0.2时,地膜是p型。地膜在In/Sn≤0.3时是金红石构造;而地膜In/Sn=0.4时,能够看到In2O3峰。1.2、磁控溅射法

　　磁控溅射法是眼前钻研zui多、zui成熟的地膜备步骤。溅射是利用高能粒子轰击靶材,使靶材原子团或分子被溅射进去并沉积到衬底名义的一种工艺,重要分为直流磁控溅射和射频磁控溅射。利用该步骤制备通明氧化物半超导体地膜时,溅射气体正常为氩气,反响气体为氧气,而靶材重要有三种内容:非金属氧化物陶瓷靶;通明氧化物中所含非金属的合金靶,还能够是高纯非金属靶。理论溅射沉积膜中,靶的取舍要依据设施和工艺来确定。另外如要对样品继续掺杂,杂质能够是匀称混合在靶中溅射,还可利用多靶共溅射法掺入杂质。而杂质正常能够差错金属或者氧化物。溅射沉积地膜时,其电源能够是射频或直流,正常衬底热度为200℃～500℃。沉积的地膜可能差错晶或多晶地膜。地膜的晶化水平与衬底类型无关,正常在非晶玻璃衬底上失去的多为非晶膜,在单晶衬底上多为多晶地膜。通过在大气或者氧气气氛中退火,可增进地膜晶化,增多空穴深浅,加强导热性能。陈琛等采纳磁控溅射步骤利用InSn合金（In/Sn=0.2）在石英玻璃基片上制备P型通明导热锡铟氧化物（TIO）地膜。试验发现600℃为*氧化热度,空穴深浅高达9.61×1018cm-3。试验还表明所有的TIO地膜为多晶且存在正斜方晶构造,况且地膜是由匀称散布的丝米颗粒组成。1.3、溶液法

　　溶液法,又称湿化学法。它是以sol-gel法为根底,采纳浸涂的步骤沉积地膜。经过浸涂的位数可掌握地膜的薄厚。将地膜继续前期解决,可普及地膜纯度。溶胶-凝胶合议制备地膜的根本原理是:将非金属醇盐或有机盐作为前驱体,溶于溶剂（水或有机溶剂）中构成匀称的溶液,溶质与溶剂产凉水解或醇解反响,反响生产物荟萃成多少个纳米左右的粒子并构成溶胶,再以溶胶为原料药经过浸渍法或旋涂法在衬底上构成胶膜,溶胶膜经凝胶化及干涩解决后失去干凝胶膜,zui初在定然的热度下烧结即失去所需的晶态或非晶态膜。p型SnO2导热地膜的制备重要是可溶性有机盐或有机盐在稳固剂盐酸作用下溶化于无水乙二醇等有机溶剂中而构成溶胶。比如:2003年,浙江大学季振国课题组,何振杰等取舍二水二氯化锡（SnC12·2H2O）作为锡源,四水三氯化铟（InC13·4H2O）作为掺杂剂,无水乙醇,盐酸作为稳固剂。将定然对比的前驱体溶化于无水乙醇中,再退出定然量的盐酸稳固剂,在600℃水浴加热,经2h的充足搅和后,zui初构成通明均质溶液。而后采纳浸渍法,在石英玻璃基片上沉积地膜,再经450℃-600℃热度下热解决2h,zui初失去SnO2∶In通明p型导热地膜。525℃为*解决热度,空穴深浅高达1018cm-3。所有的地膜经热解决后可见光的透过率高达90%,光学带隙为3.8eV。2006年,Ahmed和Khan等采纳溶胶-凝胶法在玻璃和单晶硅衬底上沉积掺杂相反对比的铝含量SnO2地膜。当Al的深浅小于12.05%,地膜为n型导热;当Al的深浅大于12.05%,地膜为p型导热。地膜在可见光规模内有80%的透过率,透过率随着Al深浅增多而增多。

3、p型SnO2地膜的利用

　　p型SnO2通明导热地膜的利用能够分为两个上面。*,与n型通明导热地膜一样能够在发亮二级管（LED）、月亮能电池组等作为电极利用。p型的通明导热地膜能够与p型掺杂地膜构成更好的欧姆接触,普及器件的效率。第二,也是zui重要的用处与n型通明导热地膜联合,制成通明p-n结。那样的通明结能够用来制备紫外发亮二极管、紫外莱塞等。通明二极管的制成将会是一个簇新电子朝代的末尾,接踵而来的可能是通明的结晶体管、通明的场效应管、通明的集成通路等,zui终电子器件会步入一个通明的光电子朝代。4、终了语

　　制备高品质的n型和p型SnO2是兑现SnO2地膜光电器件利用的要害。n型SnO2地膜的制备曾经很成熟。眼前已兑现SnO2地膜的p型掺杂,但其性能还使不得与n型相比,SnO2地膜的p型掺杂眼前在于试验钻研阶段,还须要进一步钻研开发。在短跨度紫外发亮器件上面,SnO2是否像ZnO一样无望取代GaN（或AlGaN）再有待于时日视察与钻研,但其易于制备及重价等劣势,其潜在易见的生意前景将鼓舞人们对这一畛域发展进一步的钻研。