采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能和工作可靠性。CoolSiC 技术的低功率损耗与全新 1200 V 优化 SMD 封装中的 .XT 互连技术相结合，在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现了效率和被动冷却潜力。开关损耗低，短路耐受时间为 3 µs，可控的 dV/dt，基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V，对寄生导通具有坚固性，可采用 0 V 关断栅极电压，稳健的体二极管可实现硬换向，采用 .XT 互连技术，具有同类良好的散热性能，封装爬电距离和间隙大于 6.1 毫米，感应引脚可优化开关性能。

效率提高

实现更高频率

提高功率密度

减少冷却工作量

降低系统复杂性和成本

SMD 封装可直接集成到印刷电路板上，自然对流冷却，无需额外的散热片

产地：德国

封装：TO-263-7

漏源电压V_DS ：1200 V

直流漏极电流I_D T_C = 25°C, R_th(j-c,max)：4.7 A

脉冲漏极电流，t_p 受 T_vjmax 限制，V_GS = 18V：17 A

RDS(onT_vj = 25°C, I_D = 2A, V_GS = 18V：350 mΩ

虚拟结温T_vj：-55 ℃ 至175 ℃

焊接温度回流焊接（MSL1，符合 JEDEC J-STD-020 标准）：260 ℃

MOSFET/ 本体二极管热阻，结点 - 外壳R_th(j-c）：1.8 - 2.3 K/W

热阻，结点 - 环境R_th(j-a)：62 K/W

输入电容：196 pF

输出电容：9 pF

反向电容：0.94 pF

C_oss储存能量：3.8 μJ

栅极总电荷：5.9 nC

栅极至源极电荷：1.5 nC

栅极至漏极电荷：1.2 nC

电动汽车充电、工业电机驱动和控制、光伏、不间断电源 (UPS)