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西安市所在地
检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 | |||
功率循环试验（PC） | IGBT模块 | ΔTj=100℃ 电压电流大1800A 12V | IEC 客户自定义 | |||
高温反偏试验（HTRB） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 | 温度150℃； 电压2000V | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高温门极试验（HTGB） | MOSFET、SiC MOS等单管器件 | 温度150℃； 电压2000V | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高温工作寿命试验（HTOL） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 | 温度150℃ 电压2000V | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
低温工作寿命试验（LTOL） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 | 温度-80℃ 电压2000V | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高温储存试验（HTSL） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度150℃； | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
低温储存试验（LTSL） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度-80℃ | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高温高湿试验（THB） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度180℃ 湿度范围：10%~98% | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高低温循环试验（TC） | MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度范围：-80℃~220℃ | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 | ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
稳态功率试验（SSOL） | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 | ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高加速应力试验（HAST） | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度130℃/110℃ 湿度85% | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
*无偏压的高加速应力试验（UHAST） | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度130℃ 湿度85% | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
高温蒸煮试验（PCT） | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度121℃ 湿度 | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
预处理试验（Pre-con） | 所有SMD类型器件 | 设备满足各个等级的试验要求 | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
潮气敏感度等级试验（MSL） | 所有SMD类型器件 | 设备满足各个等级的试验要求 | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
*可焊性试验（Solderability） | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 | 有铅、无铅均可进行 | 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 | |||
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市*经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的*，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。
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