大功率IGBT静态参数测试仪
大功率IGBT静态参数测试仪
大功率IGBT静态参数测试仪

PMST-3000V大功率IGBT静态参数测试仪

参考价: 订货量:
488888 1

具体成交价以合同协议为准
2022-02-23 13:59:09
158
属性:
测量范围:高达3000V/100mA;测量精度:0.1%;外形尺寸:19英寸1U机箱mm;用途:0.1%;重量:30kg;Z大输出功率 :300W,3000V/100mA(不同型号有差异);;输出电压建立时间 :< 5ms;;输出接口:KHV(三同轴),支持四线测量;;
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产品属性
测量范围
高达3000V/100mA
测量精度
0.1%
外形尺寸
19英寸1U机箱mm
用途
0.1%
重量
30kg
Z大输出功率
300W,3000V/100mA(不同型号有差异);
输出电压建立时间
< 5ms;
输出接口
KHV(三同轴),支持四线测量;
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品简介

大功率IGBT静态参数测试仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA

详细介绍

大功率IGBT静态参数测试仪简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFETBJTIGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。

斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源光伏风电轨交变频器等场景。

系统特点


大功率IGBT静态参数测试仪应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN





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