功率半导体器件静态测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。

那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢？

E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

E300高电压源测单元

HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。

设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。

HCPL100型高电流脉冲电源

P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脉冲源表

功率半导体器件静态测试系统简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。

产品特点

• 高电压：支持高达3KV高电压测试；

• 大电流：支持高达4KA大电流测试；

• 高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；

• 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；

• 配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

• 数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；

• 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；

• 可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；

• 可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

   

  技术指标