MProbe Vis薄膜测厚仪大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且稳定的被测量。比如：氧化物，氮化物，光刻胶，高分子聚合物，半导体(硅，单晶硅，多晶硅)，半导体化合物(AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS)，硬涂层(碳化硅，类金刚石炭)，聚合物涂层(聚对二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)
大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且稳定的被MProbe Vis测厚仪测量。比如：氧化物，氮化物，光刻胶，高分子聚合物，半导体(硅，单晶硅，多晶硅)，半导体化合物(AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS)，硬涂层(碳化硅，类金刚石炭)，聚合物涂层(聚对二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺)。
测量范围: 15 nm -50um
波长范围: 400 nm -1100 nm
MProbe Vis薄膜测厚仪适用于实时在线测量，多层测量，非均匀涂层, 软件包含大量材料库(超过500材料)，新材料可以很容易的添加，支持多重算法：Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。
测量指标：薄膜厚度，光学常数
界面友好强大: 一键式测量和分析。
MProbe Vis薄膜测厚仪实用的工具：曲线拟合和灵敏度分析，背景和变形校正，连接层和材料，多样品测量，动态测量和产线批量处理。


性能参数：

基本规格
精度	准确度	稳定性	光斑大小	样品尺寸
0.1Å or 0.01% (greater of)	0.2% or 10A (greater of)	stability 0.2A or 0.02% (greater of)	2mm standard (optional to 20µm)	from 4mm
s.d. of 100 thickness reading of 100nm SiO2/Si calibration sample	filmstack dependent	2 sigma over 20 days (100 measurements daily) on 100nm/Si calibration sample
系统参数
型号	波长范围(nm)	光谱仪/探测器	光源	厚度
Vis	400-1100	Spectrometer F4/Si CCD 3600 pixels/ ADC- 16 bit	Tungsten-Halogen	15nm- 75µm
UVVisSR	200-1100	Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit	Deuterium/Tungsten-Halogen	1nm-75µm
HRVis	700-1000	Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit /resolution	Tungsten-Halogen	1µm-400µm
UVVis-RT	200-1000	F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC 16 bit/Optical Switch(Reflectance & Transmittance)	Tungsten-Halogen	1nm-75µm
NIR	900-1700	F2 Spectrometer InGaAs CCD 512 pixels: ADC- 16 bit	Tungsten-Halogen	50nm- 85µm
VisNIR	400-1700	Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and F2 InGaAs 512 pixels PDA) /ADC- 16 bit	Tungsten-Halogen	10nm- 85µm
UVVis-NIR	200-1700	Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and InGaAs 512)/ ADC – 16 bit	Deuterium/Tungsten-Halogen	1nm-85µm
VisXT	800-870	F4 spectrometer/Si 2048 pixels CCD	Tungsten-Halogen	10µm-1400 µm