中国台湾 UBIQ 40V23A快开关MOSFET QM4002AD数据手册规格书

QM4002AD中国台湾 UBIQ 40V23A快开关MOSFET QM4002AD数据手册规格书

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2022-03-24 10:06:09
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产品简介

TheQM4002ADisthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcelldensity,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications

详细介绍

  • The QM4002AD is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

    40V快开关mosfet/QM4002AD替换AOD454A代替QM4002AD替代AOD454A_UBIQ-semi_

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    The QM4002AD meet the RoHS and Green Product requirement , 99% EAS guaranteed with full function reliability approved.


    QM4002AD替换AOD454A代替QM4002AD替代AOD454A

  • Feature

    Advanced high cell density Trench technology.

    Super Low Gate Charge.

    Excellent CdV/dt effect decline.

    99% EAS Guaranteed

    Green Device Available.

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    Application

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA.

    Networking DC-DC Power System.

    Load Switch.

    MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemIConductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。


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