中国台湾松木MOS管 ME06N30数据手册规格书ME06N30中文资料pdf

ME06N30中国台湾松木MOS管 ME06N30数据手册规格书ME06N30中文资料pdf

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-03-24 10:28:14
118
产品属性
关闭
深圳市泰德兰电子有限公司

深圳市泰德兰电子有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

TheME06N30istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME06N30 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

    ME06N30是一种N通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。


    应用:

    ●电源管理


    ●DC/DC转换器


  • ● RDS(ON)≦1.25Ω@VGS=10V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

  • 上一篇:ELISA试剂的准备 下一篇:人卵巢癌标记物CA125 ELISA试剂盒说明书
    热线电话 在线询价
    提示

    请选择您要拨打的电话:

    温馨提示

    该企业已关闭在线交流功能