中国台湾松木MOS管 ME50N06T数据手册规格书ME50N06T中文资料pdf

ME50N06T中国台湾松木MOS管 ME50N06T数据手册规格书ME50N06T中文资料pdf

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2022-03-24 11:01:39
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深圳市泰德兰电子有限公司

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产品简介

TheME50N06TistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME50N06T is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.


    应用:

    ●电源管理


    ●DC/DC转换器


    ●负荷开关


  • ● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

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