The ME2325is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.   This   high   densityprocess   is  especially   tailored   to minimize  on-state  resistance.  These  devices  are  particularly  suited for  low  voltage  application  such  as  cellular  phone  and  notebook computer  power  management  and  other  battery  powered  circuits where high-side switchingａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

me2325是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在非常小的外形表面安装包中，需要高侧切换和低在线功耗。

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