中国台湾松木MOS管 ME2333-G数据手册规格书ME2333-G中文资料pdf

ME2333-G中国台湾松木MOS管 ME2333-G数据手册规格书ME2333-G中文资料pdf

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-03-24 11:17:56
145
产品属性
关闭
深圳市泰德兰电子有限公司

深圳市泰德兰电子有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

TheME2333istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.  

    This  high  density   process  is  especially  tailored   to minimize  on-state  resistance.  

    These  devices  are  particularly  suited for  low  voltage  application  such  as  cellular  phone  and notebook computer  power  management  and  other  battery  powered  circuits where high-side switchingand low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

    ME2333是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在非常小的外形表面安装包中,需要高侧切换和低在线功耗。


    应用:

    ●笔记本中的电源管理


    ●便携式设备


    ●电池供电系统


    ●DC/DC转换器


    ●负荷开关


    ●差示扫描量热仪


    ●液晶显示逆变器



  • ●RDS(开)≤35mΩ@VGS=-4.5V


    ●RDS(开)≤49mΩ@VGS=-2.5V


    ●RDS(开)≤69mΩ@VGS=-1.8V


    ●超高密度电池设计,适用于极低RDS(开)


    ●异常导通电阻和直流电流



  • 上一篇:6%鲁尔圆锥接头多功能测试仪 操作简单易学 上海理涛自动化科技有限公司 下一篇:高配版非血管内导管导丝滑动性能测试仪 检测准确 上海理涛
    在线询价
    提示

    请选择您要拨打的电话:

    温馨提示

    该企业已关闭在线交流功能