ME2328/ME2328-G，N - 通道 105-V (D-S) MOSFET

ME2328-G一般说明：

ME2328 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于限度地减少导通电阻。

ME2328-G特征：

RDS(ON)≦270mΩ@VGS=10V

RDS(ON)≦340mΩ@VGS=4.5V

超高密度电池设计，可实现极低的 RDS(ON)

出色的导通电阻和直流电流能力

ME2328-G应用：

笔记本中的电源管理

DC/DC 转换器

负载开关

LCD显示逆变器

ME2328/ME2328-G，N - Channel 105-V (D-S) MOSFET

GENERAL DESCRIPTION

The ME2328 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. 

FEATURES

RDS(ON)≦270mΩ@VGS=10V

RDS(ON)≦340mΩ@VGS=4.5V

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability

APPLICATIONS

Power Management in Note book

DC/DC Converter

Load Switch

LCD Display inverter