中国台湾松木MOS管 ME2302数据手册规格书ME2302中文资料pdf

ME2302中国台湾松木MOS管 ME2302数据手册规格书ME2302中文资料pdf

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产品简介

TheME2302istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistors,usinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME2302 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone, notebook computer power management and other battery powered circuits, and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.


    应用:

    ●笔记本电脑的电源管理


    ●便携式设备


    ●负荷开关


    ●差示扫描量热仪

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  • ● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V

    ● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V

    ● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=1.8V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

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