中国台湾松木MOS管 ME20P03F数据手册规格书ME20P03F中文资料pdf

ME20P03F中国台湾松木MOS管 ME20P03F数据手册规格书ME20P03F中文资料pdf

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2022-03-25 10:03:59
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深圳市泰德兰电子有限公司

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产品简介

TheME20P03FistheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME20P03F is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application.


    应用:

    ●笔记本中的电源管理


    ●DC/DC转换器


    ●负荷开关


    ●液晶显示逆变器


  • ● RDS(ON)≦31.5mΩ@VGS=-10V

    ● RDS(ON)≦44mΩ@VGS=-4.5V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

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