中国台湾松木MOS管 ME4565AD4数据手册规格书ME4565AD4中文资料pdf

ME4565AD4中国台湾松木MOS管 ME4565AD4数据手册规格书ME4565AD4中文资料pdf

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2022-03-25 10:27:09
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深圳市泰德兰电子有限公司

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产品简介

TheME4565AD4istheNandP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME4565AD4 is the N and P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


    应用:

    ●笔记本中的电源管理


    ●便携式设备


    ●电池供电系统


    ●DC/DC转换器


    ●负荷开关


    ●液晶显示逆变器


  • ● RDS(ON) ≦30mΩ@VGS=10V (N-Ch)

    ● RDS(ON) ≦58mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

    ● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=-10V (P-Ch)

    ● RDS(ON) ≦75mΩ@VGS=-4.5V(P-Ch)

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

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