中国台湾松木MOS管 ME7804S数据手册规格书ME7804S中文资料pdf

ME7804S中国台湾松木MOS管 ME7804S数据手册规格书ME7804S中文资料pdf

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2022-03-25 10:41:22
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深圳市泰德兰电子有限公司

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产品简介

TheME7804N-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

详细介绍

  • The ME7804 N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


    应用:

    ●笔记本中的电源管理


    ●便携式设备


    ●电池供电系统


    ●负荷开关


    ●差示扫描量热仪


    ●ESD保护


  • ● RDS(ON) ≦16mΩ@VGS=10V

    ● RDS(ON) ≦25mΩ@ VGS=4.5V

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