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AO3415规格书及AO3415原理图AO3415
AO3415功能：AO3415采用的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷，并且可在低至1.8V的栅极电压下运行 参考价面议 -
AONR21117AONR21117-20V P沟道MOSFET-DFN 3x3 EP规格书
一般说明：•的沟槽技术-20V•低RDS（ON）•高电流能力•符合RoHS和无卤素标准应用领域：•负荷开关应用•电池保护应用产品概要：VDSID（在VGS=-4.5V时）-34ARDS（开启）（在VGS=-4.5V时）RDS（开启）（在VGS=-2.5V时）经过100％UIS测试 参考价面议 -
AOND62930AOND62930-100V双N沟道-调光MOSFET
一般说明:•TrenchPowerAlphaSGTTM技术•双N-ChMOSFET•布局优化•符合RoHS和无卤素标准应用领域:调光MOSFET产品概要VDSID（在VGS=10V时）7ARDS（ON）（在VGS=10V时）RDS（ON）（在VGS=4 参考价面议 -
AOS美代-瞬态电压抑制二极管-资料参数大全AOS美代-瞬态电压抑制二极管-资料参数大全
AOS美代-瞬态电压抑制二极管-资料参数大全 参考价面议 -
AOT095A60LAOT095A60L
AOT095A60L一般说明：专有MOS5TM技术·低RDS(ON)·优化开关参数以提高EMI性能·增强体二极管的鲁棒性和快速反向恢复 参考价面议 -
AOY66920AOY66920
AOY66920是aos新品mos管 参考价面议 -
XBP4SMAJ015C400W 瞬态电压抑制器 (TVS)XBP4SMAJ015C
400W 瞬态电压抑制器 (TVS)XBP4SMAJ015C 参考价面议 -
XBP4SMAJ013A400W 瞬态电压抑制器(TVS)XBP4SMAJ013A
400W 瞬态电压抑制器(TVS)XBP4SMAJ013A 参考价面议 -
ME2N7002D1KW中国台湾松木MOS管 ME2N7002D1KW数据手册规格书ME2N7002D1KW中文资料pdf
中国台湾松木MOS管 ME2N7002D1KW数据手册规格书ME2N7002D1KW中文资料pdf 参考价面议 -
AOZ1037PIAOZ1037PI
TheAOZ1037isahighefficiency,simpletouse,5Asynchronousbuckregulator 参考价面议 -
AOZ1033AIAOZ1033AI
TheAOZ1033Aisahighefficiency,easytouse,3Asynchronousbuckregulator 参考价面议 -
AOZ1236QI-01AOZ1236QI-01
TheAOZ1236-01isahigh-efficiency,easy-to-useDC/DCsynchronousbuckregulatorthatoperatesupto28V 参考价面议