功能特点：
在真空压力下，加在电感线圈的射频电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵抽走，称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)
产品用途：
PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。
适用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用
产品参数
- 控温方式：采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序。
- 加热元件：0Cr27Al7Mo2
- 工作电源：AC220V 50Hz/60Hz
- 额定功率：4kw
- 炉管材质：高纯石英管
- 炉管尺寸：Φ60/Φ80*1200mm
- 工作温度：≤1150℃(可定制)
- 温度：1200℃(可定制)
- 恒温精度：±1℃
- 恒温区：200mm(可定制)
- 升温速度：≤10℃/min
- 密封方式：不锈钢快速法兰挤压密封
- 极限真空：6.0×10-5Pa
- 工作真空：7.6×10-4Pa
- 产品配置：双级旋片真空泵+分子泵
- 测量方式：复合真空计
- 真空规管：电阻规+电离规
- 冷却方式：风冷
- 抽速：110L/S
- 射频电源系统
- 射频功率输出范围：5~500W
- 射频频率：13.56MHz±0.005%
- 噪声：≤55DB
- 冷却方式：风冷
- 功率温定度：± 0.1%
- 混气系统流量规格：0－200sccm （可根据客户需要配置）
- 线性：±1.5%F.S
- 准确度：±1.5%F.S
- 重复精度：±0.2%F.S.
- 响应时间：≤8sec
- 耐压：3MPa
- 气路通道：4通道（根据客户需求）
- 针阀：316不锈钢
- 管道：Φ6mm不锈钢管
- 接口：SwagelokΦ6mm
