产品概述
感应耦合等离子刻蚀机 SI 500 适用于小批量生产和研发、以及用于高校。SI 500 可按掩膜结构成比例、高均匀性地刻蚀硅、半导体、石英等材料，以及实现微光学结构的制备，衬底尺寸 8 吋。
SI 500 的显著特点包括平板感应耦合等离子体（ICP）源、下电极配置氦气背板冷却和动态温度控制、高传导真空系统和系统的控制原理。SI 500 由 SENTECH 软件结合远程现场控制器（RFC）控制。
的感应耦合等离子体源 PTSA 200（平板三螺旋天线）生成高离解等离子体。它由 13.56 MHz的功率源驱动、可在很低的等离子体势能下、产生高达 1*1012 cm-3（氩等离子体）的等离子密度。自动匹配网络集成在 PTSA 200 中。
下电极可容纳 8 吋直径、9 mm 高度的衬底，碎片可由载片器装载。电极温度可控制在-30°C 到+250°C 范围内。为在高密度等离子体中保持衬底的低温，晶圆背面是压力可控的氦气。晶圆由机械压盘夹持。
第二个 13.56 MHz 的功率源提供下电极的射频偏置。这样离子能量和离子密度可分别控制。为下电极单独提供射频功率时，系统则与平行板刻蚀机类似、可运行反应离子刻蚀 RIE 工艺。
真空系统包括涡轮分子泵和机械前级泵、符合 ICP 工艺所需的低压力/高流量要求、并防止氟基和氯基气体的腐蚀作用。自动节流阀保持反应腔体内的压力、独立于气体流量。质量流量计（MFC）提供高稳定的气流。这样就能达到精确和可重复的刻蚀条件。
