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BSO晶体、Fe:LiNbO 3晶体、SBN晶体、BGO晶体
Optogama提供4Lasers品牌的BSO，Fe：LiNbO3、SBN和BGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中，当相干光相互干扰时观察到，光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图，也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。
硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。
铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。
SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。
锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。
硅酸铋晶体主要特点：
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
BSO晶体主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-相位共轭混合器。
BSO晶体的技术特性：
| 化学公式 | Bi12SiO20 |
| 晶体结构 | 立方体，点编组23 |
| 晶格参数 | 10.10 a |
| 密度 | 9.2克/cm3 |
| Mohs硬度 | 5 |
| 透明度范围 | 0.45-6μm |
| 折射率 | 2.5 |
| 光学活性 | 42deg/mm |
| 电光系数 | r41 = 5 pm/V |
| 介电常数(低频) | 56 |
| 暗电阻 | 1014 Ohm cm |
BSO晶体的产品规格：
| 透明孔径 | 85 % |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度误差 | <30 arcsec |
| 保护槽 | <0.3 mm at 45° |
| 表面质量 | 40-20 S-D |
| 波前畸变 | <λ/4@6328 nm |
| 涂层 | 无涂层 |
硅酸铋晶体产品型号
| SKU | 面尺寸 | 厚度 | 定向 | 价格（RMB） |
| 1558 | 30×30毫米 | 1.0毫米 | [110] | 5500 |
| 6880 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [110] | 4500 |
| 6881 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [100] | 4500 |
| 6882 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 6500 |
| 6883 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 6500 |
| 6884 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 4800 |
| 6885 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 4900 |
| 9095 | 30×30毫米 | 1.5毫米 | [110] | 5600 |
铌酸锂晶体主要特点：
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
LiNbO3晶体的主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-全息记录
-光波导
LiNbO3晶体技术特性：
| 化学公式 | Fe：LiNbO3 |
| 晶体结构 | 三角形，3m |
| 密度 | 4.64克/cm3 |
| Mohs硬度 | 5 |
| 透明度范围 | 0.35-5.5μm |
| 折射率@0，63μm | ne = 2.20, no = 2,29 |
| 电光系数 | r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
| 介电常数 | e11 = 85,e33 = 30 |
铌酸锂晶体产品规格：
| Fe2O3 | 0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. % |
| 定向 | 90°切割(X-切割，Y-切割) |
| 透明孔径 | 85 % |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度误差 | <3 arcmin |
| 保护槽 | <0.3 mm at 45° |
| 表面质量 | 20-10 S-D |
| 波前畸变 | <λ/4@6328 nm |
| 涂层 | 无，可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层 |
| 电极 | 无，可根据要求提供 |
铌酸锂晶体产品型号：
| SKU | 面尺寸 | 长度 | 掺杂水平 | 价格（RMB） |
| 4052 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，05%Fe2O3 | 请求 |
| 6457 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，02%Fe2O3 | 请求 |
| 6458 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，03%Fe2O3 | 请求 |
| 7005 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，1%Fe2O3 | 请求 |
| 7006 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，02%Fe2O3 | 4000 |
| 7007 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，03%Fe2O3 | 4000 |
| 7008 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，05%Fe2O3 | 4000 |
| 7009 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，1%Fe2O3 | 4000 |
| 7010 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，02%Fe2O3 | 请求 |
| 7011 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，03%Fe2O3 | 请求 |
| 7012 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，05%Fe2O3 | 请求 |
| 7013 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，1%Fe2O3 | 请求 |
SBN晶体的主要特点：
-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂
-有效相位共轭
-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求
SBN晶体的主要应用：
-光学信息记录
-热释电探测器
-自泵浦自共轭镜
-光学相关器
SBN晶体的技术特性：
| 构图 | SBN：61 | SBN：75 |
| 晶体结构 | 四边形，4毫米 | 四边形，4毫米 |
| 晶格参数 | a = 12,46 Å, c = 3,946 Å | a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å |
| 密度 | 5,4 g/cm3 | 5,4 g/cm3 |
| Mohs硬度 | 5.5 | 5.5 |
| 熔化温度 | 1480°C | 1480°C |
| 居里温度 | 75°C | 56℃ |
| 透光度范围 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
| 折射率@633 nm | no = 2.3103,ne = 2.2817 | no = 2.3117,ne = 2.2987 |
| Δn@633 nm | -0.0286 | -0.0130 |
| 传动 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
| 半波电压(λ/2) | 240 V | 60V |
| 介电常数(T=293 K) | 900 | 340 |
| 电光系数 | R13=45 pm/V,R33=250 pm/V | R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
| 热释电系数 | 0.065μC×cm-2×K-1 | 0.28μC×cm-2×K-1 |
| 介电常数 | 880 | 3400 |
SBN晶体的产品规格：
| 定向 | 沿四方轴的短边 |
| 波林 | 极化 |
| 电极 | 碳水电极 |
| 透明孔径 | 85% |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度误差 | <30 arcsec |
| 保护槽 | <0.1 mm at 45° |
| 表面质量 | 20-10 S-D通过透明光圈，60-40 S-D其他表面 |
| 表面平整度 | <λ/4@6328 nm |
| 涂层 | 无涂层 |
SBN晶体的产品型号：
| SKU | 材料 | 面尺寸 | 长度 | 掺杂 | 价格(RMB) |
| 6940 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 15000 |
| 6941 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 18500 |
| 6942 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 24000 |
| 6943 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 30000 |
| 6944 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 15000 |
| 6945 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 18800 |
| 6946 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 22000 |
| 6947 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 30000 |
| 6948 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 15000 |
| 6949 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 18500 |
| 6950 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 24000 |
| 6951 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 30000 |
| 73 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | 未掺杂 | 15000 |
| 74 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | 未掺杂 | 18500 |
| 75 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | 未掺杂 | 24000 |
| 76 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | 未掺杂 | 30000 |
BGO晶体的主要特点：
-高电光系数(r41=3，5 pm/v)
-低暗电导
-大尺寸元件或晶片最多可达3“
-可根据要求定制
BGO晶体的主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-光学相关器
BGO晶体的技术特性：
| 化学公式 | Bi12GeO20 |
| 晶体结构 | 立方体，点编组23 |
| 晶格参数 | 10.15 a |
| 密度 | 9.2克/cm3 |
| 传输范围 | 0.45-7米 |
| 折射率@0.63m | 2,55 |
| 光学活性@500 nm | 41.5度/毫米 |
| 电光系数r41 | 3.5 pm/V |
| 介电常数 | 40 |
| 暗电阻 | 1014 Ohm cm |
BGO晶体的产品规格：
| 透明孔径 | 85% |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度误差 | <30 arcsec |
| 保护槽 | <0.3 mm at 45° |
| 表面质量 | 40-20 S-D |
| 波前畸变 | <λ/4@6328 nm |
| 涂层 | 无涂层 |
BGO晶体的产品型号：
| SKU | 面尺寸 | 长度 | 定向 | 价格(RMB) |
| 6868 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 5600 |
| 6871 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 5600 |
| 6872 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 8500 |
| 6873 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 8500 |
| 6874 | 20x20毫米 | 1毫米 | [110] | 5000 |
| 6875 | 20x20毫米 | 1毫米 | [100] | 5000 |
| 6876 | 30×30毫米 | 1毫米 | [110]，边与<001>平面±2deg平行 | 6000 |
| 6877 | 30×30毫米 | 1，5毫米 | [110] | 6000 |
