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以色列DUMA公司近期研制出一款高功率激光采样器，通过压缩空气降温的原理来实现冷却。该采样器可以提供1.1×10-5的采样效率，相比于衰减片（ND）而言，效率更高，且适用于多种场合。该采样器可以与现有光束质量分析仪相匹配，出厂即完成装配，可以满足用户对于高功率激光的检测，对于连续激光，可承受4KW的功率。
大功率激光光束质量的测量一直是激光行业的一个难点和痛点。无论是CMOS/CCD传感器还是刀口式检测原理，都无法承受大功率激光的直接接收，因为CMOS传感器或者CCD传感器的灵敏度都很高，仅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范围，这使得大功率激光无法实现直接检测，这会导致因激光功率过高而直接损坏传感器，哪怕使用衰减片（ND）仍无法满足，甚至需要配合多个衰减片进行一个整体组合后才可使用，这会使得激光整体模式受到不可估计的影响。
我司为用户提供两种系列光束质量分析仪，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光，其检测原理为刀口式测量原理，仅可检测连续激光（CW），M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然，为了满足用户对于脉冲激光（Pulsed）的检测需求，我们也提供CMOS传感器版本（-U3型号）。
以上机型均可安装高功率激光采样器，SAM-HP-M。需要注意的是，在测量大功率激光时，连续曝光时间不能超过5s。并且高功率机型出厂后，风冷采样器处于已装配状态，原则上讲我们不提倡用户将其拆卸，因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题，这会导致拆卸后无法安装的问题存在，基于更小的灵敏度，仪器哪怕装载了风冷采样器，对于小功率激光仍具备一定的探测能力。
LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数：
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| LAM-BA | LAM-U3 |
| 传感器类型 | 硅基，使用刀口法测量技术 | CMOS |
| 刀口数 | 7 | - |
| 光谱范围： | 硅：350-1100nm | 350-1310nm |
| 功率范围@900/1070 nm | 4KW（需要衰减片和高压空气风冷，可能会有一些限制） | 连续激光1-2500W，脉冲激光1-1000W |
| 光斑尺寸范围 | 35微米至8毫米 | 75微米-6毫米 |
| 分辨率（H × V像素） | 根据光束大小自适应 | 1920 ×1200 |
| 传感器有效尺寸 | 9 × 9 | 11.34 × 7.13 |
| 工作距离 | 49mm | 从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米 |
| BPP | 输入角度-25deg | 输入角度-25deg |
| 功率密度 | 1,000,000 W/cm2 | 1,000,000 W/cm2 |
| 光束宽度精度 | ± 1.5 ％ | ± 1.5 ％ |
| 功率精度 | ± 5 ％ | ± 5 ％ |
| 工作温度 | 0℃-35℃ | 0℃-35℃ |
M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格：
-输入光束
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| M2Beam | M2Beam U3 |
| 技术工艺 | 刀口式扫描原理，应用Si探测器，InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 | USB 3.0接口 CMOS 2.4MP 内置过滤论 |
| 光谱响应（nm） | SI传感器：350-1100 InGaAs传感器：800-1800 Enhanced InGaAs 传感器：800-2700 | VIS-NIR：350-1600 UV-NIR：220-1350 |
| 激光功率范围 | Si：100 μW-1 W（带衰减片） InGaAs&UV：100 μW-5 mW HP：4 kW以下 | 10μW-100mW，内置滤光轮 HP：4 kW以下 |
| 刀口数 | 7 | — |
| 光束尺寸 | 带透镜高达25mm直径（Si&UV版本） | |
| 束腰到透镜距离 | 2.0~2.5米 最小2米 | |
-扫描装配附件
| 材质 | 铝 |
| 透镜焦距 | 300mm（在632.6nm时） |
| 透镜直径 | 25mm |
| 扫描次数 | 140 |
| 最小步进尺寸 | 100μm |
| 扫描长度 | 280mm |
-整机
| 重量 | 2.5kg |
| 尺寸 | 100×173×415 mm |
| 托架 | M6或1/4“固定 |
| 机械调整 | 水平角：±1.5° 垂直角：±1.5° |
| 电缆长度 | 2.5m |
大功率光束分析仪的核心部件——高功率激光采样器规格参数：
| 型号 | SAM3-HP |
| 光谱范围 | 250-2000nm |
| 采样系数 | 1.1×10-5 |
| 外型尺寸 | 40 mm dia. × 31 mm length |
| 通光孔径 | 8 × 8 mm |
| 从输入到采样表面的最小光路 | 25mm（视具体型号而定） |
高功率光束分析仪订购型号及描述：
LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams
