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IM4000PLUS是支持断面研磨和平面研磨（Flat Milling®*1）的混合式离子研磨仪器。借此，可以用于适用于各种诸如对样品内部结构观察和各类分析等，为评价目的样品的制作。
*1平面研磨（Flat Milling®）是位于日本国内的日立有限公司的注册商标。
参数规格：
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| IM4000PLUS | IM4000PLUS | |
| 断面研磨杆 | 平面研磨杆 | |
| 使用气体 | Ar（氩）气 | |
| 加速电压 | 0 ～ 6 kV | |
| 研磨速度（Si材料） | 500 µm/hr*1 以上 | - |
| 样品尺寸 | 20（W）× 12（D）× 7（H）mm | Φ50 × 25（H） mm |
| 离子束 间歇照射功能 | 标配 | |
| 尺寸 | 616（W）× 705（D）× 312（H）mm | |
| 重量 | 机体48 kg＋回转泵28 kg | |
| 附冷却温度调节功能的IM4000PLUS | ||
| 冷却温度调节功能 | 通过液氮间接冷却样品、温度设定范围：0°C ～ －100°C | |
| 选项 | ||
| 空气隔离 样品夹持器 | 仅支持断面研磨夹持器 | - |
| FP版断面研磨夹持器 | 100 µm/rotate*2 | - |
| 用于加工监控的显微镜 | 倍率 15 × ～ 100 × 双目型、三目型（支持CCD） | |
产品特点：
配备断面研磨能力达到500 µm/h*2以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出断面样品。
*2在加速电压6 kV下，将Si从遮挡板边缘伸出100 µm并加工1小时时的深度即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所构成的复合材料，也可以制备出平滑的断面样品
优化加工条件，减轻损伤
可装载20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品
制备金属以及复合材料、高分子材料等各种样品的断面
制备用于分析开裂和空洞等缺陷的断面
制备评价、观察和分析所用的沉积层界面以及结晶状态的断面
断面研磨加工原理图
均匀加工成直径约为5mm的范围
可运用于符合其目的的广泛领域
可装载直径50 mm × 厚度25 mm的样品
可选择旋转和摆动（±60度～±90度的翻转）2种加工方法
去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变
去除样品的表层
消除FIB加工的损伤
平面研磨（Flat Milling®）加工原理图
样品无需从样品台取下，就可直接在SEM上进行观察。
在抽出式的日立SEM上，可按照不同的样品分别设置截面、平面研磨杆，因此，在SEM上观察之后，可根据需要进行再加工。
附冷却温度调节功能的IM4000PLUS
该功能可有效防止加工过程中，由于离子束照射引发的样品的温度上升，所导致样品的溶解和变形。对于过度冷却后会产生开裂的样品，通过冷却温度调节功能可防止其因过度冷却而产生开裂。
*1此调节功能不是IM4000PLUS的标配功能，而是配有冷却温度调节功能的IM4000PLUS功能。
