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主要特点：
日立高新超高分辨率冷场发射扫描电子显微镜SU9000II是专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的半导体器件，高分辨成像所设计。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4nm / 30kV（SE）
0.7nm / 1kV（SE）
0.34nm / 30kV（STEM）
用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
STEM的明场像能够调整信号检测角度，明场像、暗场像和二次电子图像可以同时显示并拍摄照片。
与FIB兼容的侧插样品杆提高更换样品效率和高倍率图像观察效率。
应用领域：
1. 半导体器件
2. 高分子材料
3. 纳米材料
4. 生命科学
