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M/A-COM的MA4M系列MNS（金属氮化物硅）硅片电容器专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器是用低压化学气相沉积（LPCVD）制造的，这种沉积可以形成致密、均匀的氮化物层。这些电容器比类似的MOS、MIS和陶瓷电容器表现出更高的单位面积电容（导致芯片尺寸更小）。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。M/A-COM MNS电容器在150℃的额定电压下没有显示出可测量的电容变化。
MA4M系列片式电容器是一个很好的选择，用于Ku波段以上的混合微波电路中，低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性是主要考虑因素。
这些片式电容器适用于需要直流模块、耦合电容器、旁路电容器、电容负载和振荡器、乘法器和滤波器中的调谐元件的应用。
MA4M3100特征
•的重复性（晶圆对晶圆和批次对批次）
•小尺寸
•低损耗，高Q值
•提供圆形或方形焊盘
