MA4M3050 MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M3050 MNS微波芯片电容器电容（PF）：50隔离电压（V）：200芯片样式：354 参考价面议
MA4M3100 MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M3100 MNS微波芯片电容器电容（PF）：100隔离电压（V）：50芯片样式：358 参考价面议
MA4M3010 MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M3010 MNS微波芯片电容器电容（PF）：10隔离电压（V）：200芯片样式：350 参考价面议
MA4M3030 MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M3030 MNS微波芯片电容器电容（PF）：30隔离电压（V）：200芯片样式：352 参考价面议
MA4M1050 1个MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M1050 1个MNS微波芯片电容器电容（PF）：50隔离电压（V）：100芯片样式：132 参考价面议
MA4M1100 MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M1100 MNS微波芯片电容器电容（PF）：100隔离电压（V）：100芯片样式：199 参考价面议
MA4M2020 MNS微波芯片电容器
重要参数 MA4M2020 MNS微波芯片电容器电容（PF）：20隔离电压（V）：200芯片样式：132 参考价面议
C2系列-DPDT机电开关-转换开关-NF连接器
重要参数机电开关-DPDTDC-12.4 GHz，C2型系列N型连接器工作温度： -54°C至+ 90°C正弦振动：30 GS rms寿命：1,000,000周期随机振动：20 GS rms 参考价面议
转换开关 0.5至18 GHz
重要参数转换开关特征•低插入损耗•多倍频带•集成驱动器•单个TTL控制输入 参考价面议
V085 半刚性同轴电缆
重要参数 V085 半刚性同轴电缆直流至65 GHz 参考价面议
K118 半刚性同轴电缆
重要参数 K118 半刚性同轴电缆工作于46 GHz 参考价面议
压控振荡器 (VCO) 和锁相振荡器 (PLO)
重要参数 ADI 提供了门类宽泛的压控振荡器 (VCO) 和锁相振荡器 (PLO) 产品库，其中的产品拥有的相位噪声性能、针对宽带的选项、以及包括具输出驱动器之 VCO 和具单路输出之 VCO 在内的多种选择，以满足小尺寸和低功率要求。 参考价面议

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