半导体晶片内部缺陷检测系统 无损探伤检测设备

HS-phys-SimPLe半导体晶片内部缺陷检测系统 无损探伤检测设备

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-10-27 12:00:42
302
属性:
测量范围:直径达400mm、厚度达30mm的晶片检查;产地:进口;尺寸:1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mmmm;分辨率:0.4mm分辨率的近红外InGaAs探测器;类型:无损伤;重量:270kg;
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产品属性
测量范围
直径达400mm、厚度达30mm的晶片检查
产地
进口
尺寸
1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mmmm
分辨率
0.4mm分辨率的近红外InGaAs探测器
类型
无损伤
重量
270kg
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北京合能阳光新能源技术有限公司

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产品简介

HS-phys-SimPLe半导体晶片内部缺陷检测系统是专门用于包括单晶硅、碳化硅、蓝宝石等半导体晶片及晶环生产过程中以的分辨率探测晶片和晶环的内部滑移线、内部隐裂等内部缺陷检测的仪器

详细介绍

HS-phys-SimPLe半导体晶片内部缺陷检测系统是专门用于包括单晶硅、碳化硅、蓝宝石等半导体晶片及晶环生产过程中以的分辨率探测晶片和晶环的内部滑移线、内部隐裂等内部缺陷检测的仪器



检测原理是:HS-Phys-SimPLe系统是一种高分辨率光致发光(PL)扫描映射系统,用于表征直径高达400mm的半导体晶片。使用专门设计的高强度激光源来激发半导体材料中的少子载流子。

三种类型复合载体:SRHShockley-Read-Hall)深能级复合,Auger俄歇复合和Radiative辐射复合。在较低注入水平下,Auger俄歇复合可以忽略不计,因此“清洁”区域由辐射控制,而污染区域主要由SRH深能级复合控制。由于结晶滑移缺陷就像溶解污染的吸杂点,具有较低的辐射发射。因此可以通过PL技术将其可视化。


产品特点

  直径达400mm、厚度达30mm的晶片检查

  60µm分辨率下的滑移线检测

  更多波长可供选择

  检测速度:12英寸-13分钟,8英寸-5分钟

  利用优化的波长和过滤进行PL滑移线检查,可以发现制程中尚未发现的问题

  显示更小的滑移线等内部缺陷。

  自动晶圆探测器

  自动参数设置

  即使在低信号采样上也具有高分辨率和高对比度




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