HS-NCS-200非接触厚度电阻率测试仪
 一、测试原理 
1、电阻率测试探头原理 电阻率测试模块是由一对共轴涡流传感器，以及后续的处理电路组成。将半导体硅片置于两个探头的间隙中时，在电磁场的作用下，半导体硅片中会产生涡流效应，通过检测涡流效应的大小，可以换算出该硅片的电阻率和方块电阻。本方法是一种非接触无损测量的方法，不损伤材料表面，可以在大多数场合有效替代四探针法测试电阻率以及方块电阻。
 
 
 2、厚度测试探头原理 厚度探头采用的是一对共轴电容位移传感器。电容传感器具有重复性好，测试数值稳定，技术成熟等优点，广泛用于各种材料厚度的测试。 
二、适用范围 
本设备为非接触无损测量设备，测试过程中对硅片表面以及内部不会造成损伤。特别适用于代替四探针法用于半导体硅片成品分选检验。一台仪器可以同时对厚度和电阻率两个指标进行测试分选，减少了测试工序和测试时间，提高了测试效率。 典型的客户：科研单位、硅片生产厂商、半导体器件生产厂商、光伏企业、导电薄膜研发生产企业。
 三、仪器构成 
1、测试主机：1台 2、电源线：1根 3、串口数据线：1根 4、电脑端软件：1套 5、塑料定位柱：2个
 四、仪器外观尺寸结构及图片
 1、整机尺寸：340*260*180mm 
2、机箱颜色：电脑白 
3、仪器结构：本仪器采用厚度探头和电阻率探头前后并列安装的方式。 
仪器外观图片（不同批次外观有细微区别） 
五、仪器主要指标 
1、电气规格 a．使用标准三插头，由220V交流电供电，整机功耗小于15瓦。 b．本仪器测试平台和外壳均为金属材料，按照安全规范，请确保电源地线正确连接。 
2、测试范围 测试样品要求：厚度小于600um的半导体硅片以及其他类似材料。(为客户提供特殊定制，厚度的测试范围可以扩展到800um) 电阻率范围： L档： 0.2-5 Ω·cm H档： 5-50 Ω·cm 注：电阻率不在上述量程范围内的可以按要求调整，调整的范围可以在0.001-100Ω*cm。 厚度范围： 100-600 um （定制版可以做到 300-800um） 注：普通版本厚度大于700um的硅片无法放入测试区域。
 3、电阻率测试精度（在正确校准，23摄氏度环境中预热2小时的情况下测定） 范围(单位)重复度 测量误差（正确校准情况下） 0.2-5 Ω*cm<1%<5% 5-50 Ω*cm<2%<5% 注：该数据为500um左右厚度硅片中心电阻率测试结果。 
4、厚度测试精度(在正确校准，23摄氏度环境中预热2小时的情况下测定) 范围(单位)重复度测量误差（正确校准情况下） 100-600 um<+-1um<+-1um 
六、安装说明 
1、软硬件要求 自备带有串口（DB9接口）的笔记本或者台式电脑，屏幕分辨率不低于1024*1280.预装XP系统以及EXCEL 2003办公软件（本公司不提供XP系统以及OFFICE软件）。
 2、仪器安装和环境要求
 a、推荐测试条件为23±2℃，相对湿度小于70%，测试环境推荐使用空调等调温设备，保持室内温湿度的稳定。 
b、放置在水平坚固的桌面上，避免倾侧或者震动。
 c、勿靠近热源，强的电磁场或者出风口。特别提醒：等无线通讯设备工作过程中会产生电磁脉冲，干扰测试结果。测试时请与设备保持1m以上的距离。 
d、环境需要一定的清洁度 e、勿堵塞仪器底面和后面板的风扇散热口。 f、DB9数据线和电源线按照要求接好。
 八、仪器使用简介（详细的信息请参考使用说明书）
 1 开机预热 打开仪器后面板开关，散热风扇开始工作，打开软件。预热30分钟，使得仪器跟环境之间温度达到平衡再开始校准和测试。本仪器工作功率15w以内，可以长时间连续开机，推荐工作时间内不需要关机。
 2 厚度校准 厚度校准采用2片硅片校准。校准硅片的值可以取200um左右和600um左右的经过标定的硅片各一片。其中测试3寸片的时候需要用三寸的样片校准，4寸及以上使用4寸片校准。使用过程中，由于环境温度和湿度的变化，厚度测试值可能会出现漂移。请隔2-3小时用校准硅片点检一次，出现漂移请重新校准。
 3.电阻率校准 电阻率校准采用的也是2片硅片校准。校准硅片可以选取500um左右厚度的硅片，一般要求被测试片的值在两片校准样片测试值之间。与厚度测试类似，由于环境温度的变化，电阻率测试值可能会出现漂移。请隔2-3小时用校准硅片点检一次，出现漂移的话请重新校准。
 4.测试台面清洁 测试台面使用的是铝氧化层，具有耐磨和光滑的特点，勿使用硬物敲或者锋利的刀片划，否则可能损坏表面，影响使用。日常清洁可以使用布沾酒精轻轻擦拭。清洁表面之后，请过10-20分钟，等酒精和水分*挥发之后，再进行测试。否则水蒸气或者酒精蒸汽可能会影响测试结果。