MIRA3 高束流下优异的分辨率非常有利于 EDS、WDS 及 EBSD 成分分析。借助优化的电子束减速技术 ( BDT ) 使得低着陆电压下的成像能力进一步增强。MIRA3 有 LM、XM 和 GM三种优化几何设计的样品室尺寸可供选择，同时可选择高/低真空操作环境。 
 

突出特点

• 配置高亮度肖特基电子枪，实现高分辨率，大束流及低噪声成像；
• *的中间透镜（IML）技术和 Wide Field Optics™光路相配合，可提供多种工作和显示模式，如大视野模式和景深模式；
• 实时电子束追踪技术(In-Flight Beam Tracing™)可实现性能及电子束的实时优化，同时可直接控制电子束及束流的连续调节。电子束减速技术 ( BDT ) 在低电压下具有优异分辨率；
• 通过强大的 In-Beam 探测器可实现短工作距离下的优异成像（选配）；
• 所有的 MIRA3 仓室均配备优异的 5 轴全自动优中心样品台 (compucentric stage)同时拥有 EDS 和 EBSD 分析所需的理想几何结构设计；

• 可选配带有强大样品台的超大样品室（XM、GM），可检测大样品 (如6", 8", 12")晶圆；
• 优化几何设计的众多接口，可用于接入 EDS、WDS、EBSD 以及其他探测器；
• 可变真空模式适用于非导电样品研究；
• 多样可选择的减震方式可有效降低实验室环境振动的影响；
• 无畸变 EBSD 花样。

                       江浙沪                                         川渝