主要配置：

6“，8”光源系统
可支持2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片光刻
手动系统，半自动系统
支持电源350-2000 Watt
支持深紫外近紫外波长（可选项）
支持背后对准及MEMS工艺要求
CCD或显微镜对准系统


主要性能指标：
光强均匀性Beam Uniformity:：
--<±1% over 2” 区域
--<±2% over 4” 区域
   --<±3% over 6” 区域
接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um
接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
支持接近式曝光，特征尺寸CD：
--0.8um 硬接触
--1um 20um 间距时
--2um 50um 间距时
正面对准精度 ± 0.5um
背面对准精度±1um--±2um（Depends on user）
支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um
支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
支持真空、接近式、接触式曝光
支持恒定光强或恒定功率模式