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SU-8是一种高分辨率的负性光刻胶,拥有的机械、介电、耐化学性和热性能,以及出色的生物相容性。在微流控领域,常用来做制备PDMS微流控芯片的模具。
SU-8制备的模具具备以下优势:
1、高分辨率和精度:SU-8是高分辨率的光刻胶,使用光刻工艺,可以制备复杂且精细的微通道几何形状,从而形成清晰的微流体结构。
2、强韧耐用:SU-8模具具备强韧性和耐久性,能够经受住反复使用、清洗和处理,不会明显退化,适合多次浇筑PDMS芯片。
3、SU-8模具,使用光刻工艺,可以在SU8光刻胶制备的PDMS芯片模具上制造线条宽度大于2微米,并且实现深宽比在1:1至2:1的结构。此外,借助多层光刻技术,还可以在SU-8模具上创建不同高度的微流道结构。
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一、备片
从化学品存放区取出清洁的硅片(确保硅片表面无尘)。
二、匀胶
1)打开匀胶机,将硅片放置在匀胶机托盘上,打开真空开关,确保硅片固定在托盘上不动;
2)将SU8光刻胶滴在硅片中间,根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。(举例说明:目标胶厚度50um,光刻胶型号:SU8-2075,1段500转8s,2段1800转30s)
三、前烘
1)将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上,进行预热烘烤,去除光刻胶中的挥发性有机溶剂,时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。(举例说明:目标胶厚度50um ,设置温度65℃,烘烤15min,然后温度95度,烘烤15分钟)
四、曝光
1)将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。
2)使用相应的掩模(掩膜)放置在硅片上进行曝光,曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。(举例说明:目标胶厚度50um,设置曝光能量25mw/cm2,时间12s)
五、后烘
将曝光后的硅片放置在热板上,进行后曝光烘烤,以确保光刻胶的交联反应完成。(举例说明:目标胶厚度50um,设置温度65℃,烘烤7min,然后温度95℃,烘烤3min)
六、显影
将硅片放入显影剂中,使未曝光部分的光刻胶溶解,形成模具的图案。(显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整,此处显影时间20min)
七、清洗
将显影后的硅片用异丙醇溶剂进行清洗,去除多余的光刻胶。
八、检查
使用显微镜检查制备的SU-8模具,测试观察制备的微结构尺寸,确认图案的清晰度和质量。